太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法技术

本发明专利技术的太阳能单电池(1)包括：具有p型表面和n型表面的光电转换部(20)、p侧导电体(50a)、p侧Sn层、n侧导电体(40a)、n侧Sn层、形成于p型表面(20bp)和p侧导电体(50a)之间的p侧种子层(54)、形成于n型表面(20bn)和n侧导电体(40a)之间的n侧种子层(44)、覆盖p侧种子层(54)且由与p侧种子层(54)不同的金属构成的p侧金属层(57)、覆盖n侧种子层(44)且由与n侧种子层(44)不同的金属构成的n侧金属层(47)。另外，铜对于p侧金属层(57)的扩散系数比铜对于p侧Sn层(56)的扩散系数小。而且，铜对于n侧金属层(47)的扩散系数比铜对于n侧Sn层(46)的扩散系数小。

Manufacturing Method of Solar Single Cell and Solar Single Cell

【技术实现步骤摘要】
太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法
本专利技术涉及太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法。
技术介绍
现有技术中，进行用其它金属包覆p侧电极和n侧电极的表面，以使p侧电极和n侧电极的材料的铜不会从p侧电极和n侧电极向充填材料扩散的方法。例如，公开有一种太阳能电池，其包括：在一主面上具有p型表面和n型表面的光电转换部；设于p型表面上的通过镀膜形成的p侧电极；设于n型表面的且通过镀膜形成的n侧电极；设于p型表面与p侧电极之间的p侧种子层；和设于n型表面与n侧电极之间的n侧种子层(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2015/118740号
技术实现思路
专利技术要解决的课题现有技术中，根据包覆p侧电极和n侧电极的表面的金属的种类不同，有时会因进行金属包覆而导致太阳能单电池的发电效率降低。因此，寻求能够抑制因包覆p侧电极和n侧电极的表面导致的发电效率的降低的对策。于是，本专利技术的目的在于，提供一种即使用金属包覆p侧电极和n侧电极的表面，也能够抑制发电效率降低的太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法。用于解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术第一方面一种太阳能单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：在主面上具有p型表面和n型表面的光电转换部；设于所述p型表面上的p侧导电体；设于所述p侧导电体的表面的p侧导电体表面保护层；设于所述n型表面上的n侧导电体；设于所述n侧导电体的表面的n侧导电体表面保护层；形成于所述p型表面与所述p侧导电体之间的由包含铜的金属构成的p侧种子层；形成于所述n型表面与所述n侧导电体之间的由包含铜的金属构成的n侧种子层；覆盖所述p侧种子层的、由与所述p侧种子层不同的金属构成的p侧金属层；和覆盖所述n侧种子层的、由与所述n侧种子层不同的金属构成的n侧金属层，铜对于所述p侧金属层的扩散系数比铜对于所述p侧导电体表面保护层的扩散系数小...

【技术特征摘要】
2018.01.29 JP 2018-0126601.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：在主面上具有p型表面和n型表面的光电转换部；设于所述p型表面上的p侧导电体；设于所述p侧导电体的表面的p侧导电体表面保护层；设于所述n型表面上的n侧导电体；设于所述n侧导电体的表面的n侧导电体表面保护层；形成于所述p型表面与所述p侧导电体之间的由包含铜的金属构成的p侧种子层；形成于所述n型表面与所述n侧导电体之间的由包含铜的金属构成的n侧种子层；覆盖所述p侧种子层的、由与所述p侧种子层不同的金属构成的p侧金属层；和覆盖所述n侧种子层的、由与所述n侧种子层不同的金属构成的n侧金属层，铜对于所述p侧金属层的扩散系数比铜对于所述p侧导电体表面保护层的扩散系数小，铜对于所述n侧金属层的扩散系数比铜对于所述n侧导电体表面保护层的扩散系数小。2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：该太阳能单电池的温度为25℃～200℃的状态下的、铜对于所述p侧金属层和所述n侧金属层的扩散系数为1.0×10-18(m2/s)以下。3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：所述p侧导电体表面保护层和所述n侧导电体表面保护层均由含有锡的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤嶋大介，片山博贵，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP