基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构及相应的制备方法，以及光电探测器。所述结构包括：衬底、形成于所述衬底上的氧化镓纳米柱、形成于所述氧化镓纳米柱上的银纳米线‑石墨烯复合薄膜。所述方法包括在衬底上生成氧化镓纳米柱，在所述氧化镓纳米柱上转移形成石墨烯薄膜，在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线。本发明专利技术具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明专利技术的光电探测器具有自供电、光谱选择性好的特点，对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。

Photoelectric Detection Structure, Device and Preparation Method Based on Silver Nanowires-Graphene/GaO Nanopillars

【技术实现步骤摘要】
基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法
本专利技术属于光电探测
，具体涉及一种基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法。本专利技术可应用于日盲深紫外探测器。
技术介绍
近年来出现了碳化硅、氮化镓、氮化铝、硒化锌、氧化锌、氧化镓等禁带宽度Eg大于2.3eV的第三代半导体材料，相比前两代半导体材料，这类材料的带隙大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度快、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强，具有良好的化学稳定性，非常适合用来研制抗辐射、高频、大功率与高密度集成的半导体器件。氧化镓(Ga2O3)的禁带宽度为4.2-5.3eV(不同晶体结构，光学各向异性表现为不同的带隙)，是一种直接带隙的Ⅲ-VI族宽带隙半导体材料，具有优良的化学和热稳定性，是颇为看好的一种新型第三代半导体材料。基于Ga2O3的日盲紫外探测器已有一些报道，研究内容广泛，从材料形态上包含纳米、单晶、薄膜，从器件结构上包括金属-半导体-金属(MSM)结构、肖特基结、异质结、雪崩光电二极管(APD)等，并取得了一些重要的研究成果。α-Ga2O3属于三方晶系(Trigonal)，空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构，其特征在于，该结构包括：衬底；氧化镓纳米柱，形成于所述衬底上；银纳米线‑石墨烯复合薄膜，形成于所述氧化镓纳米柱上。

【技术特征摘要】
1.一种基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构，其特征在于，该结构包括：衬底；氧化镓纳米柱，形成于所述衬底上；银纳米线-石墨烯复合薄膜，形成于所述氧化镓纳米柱上。2.如权利要求1所述的光电探测结构，其特征在于，所述的氧化镓纳米柱为α相Ga2O3阵列。3.如权利要求1所述的光电探测结构，其特征在于，所述衬底为透明衬底。4.一种基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上生成氧化镓纳米柱；在所述氧化镓纳米柱上转移形成石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在衬底上生成氧化镓纳米柱的步骤包括：在衬底上生...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭道友，刘琦，王顺利，李培刚，唐为华，
申请(专利权)人：北京镓族科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11