一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法技术

本发明专利技术公开了一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。本发明专利技术相同的镀膜厚度，所需要的镀膜时间缩短30％‑60％，且能节省20％左右的维护保养时间。

A Method of Magnetic Field Distribution for Magnetron Sputtering on PVD Coating Line

【技术实现步骤摘要】
一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法
本专利技术涉及一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法。
技术介绍
针对真空镀膜机而言，现有两两相对圆柱形磁控溅射对靶采用的是相同极性分布的磁场，这会导致面对面的磁场相斥，使得等离子体沿着非闭合磁感线逃离镀膜区域被腔体壁吸收，故膜层沉积效率及其紧致程度大大降低。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种PVD(物理气相沉积)镀膜产线磁控溅射的磁场分布。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。优选地，所述两个中频输出电源位于所述真空室外部，与所述电源连接的柱靶位于真空室内部。优选地，所述四边形为菱形。优选地，所述四边形为正方形。优选地，所述四边形为长方形。优选地，相邻柱靶靶表面间距范围50-150mm。优选地，位于所述四边形对角线的两根柱靶表面间距范围100-400mm。优选地，所述磁场分布的磁场强度为300-800mT。本专利技术具有如下有益效果：1.根据推算，相同的镀膜厚度，所需要的镀膜时间缩短30％-60％；2.因流失较少，真空腔体清洁周期能加长一倍时间，这将节省20％左右的维护保养时间。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1是本专利技术的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参考说明书附图1，一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，所述中频输出端具有阴极和阳极，且两个中频输出端相对分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶分别与其中一个中频输出端的阴极和阳极电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述两个中频输出电源位于所述真空室外部，与所述电源连接的柱靶位于真空室内部；所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。所述四边形分布可以是菱形分布，长方形分布或者正方形分布。相邻柱靶靶表面间距范围50-150mm。位于所述四边形对角线的两根柱靶表面间距范围100-400mm。所述磁场分布的磁场强度为300-800mT。所述PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布，通过设计为四柱靶闭合磁场，使得磁感线完全闭合，这将使得在同样溅射功率设定的情况下，等离子体密度大幅度提升，膜层沉积速度大幅度提升，膜层致密程度也有大幅度提升。所述所述PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布，的磁场分布可以在相同溅射条件下提高溅射速率以及提高薄膜品质；同时可以加快连续型溅射镀膜产线生产节拍，以及降低所述PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布所需能耗。上述说明示出并描述了本专利技术的优选实施例，如前所述，应当理解本专利技术并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述专利技术构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本专利技术的精神和范围，则都应在本专利技术所附权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，其特征在于，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。

【技术特征摘要】
1.一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，其特征在于，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。2.根据权利要求1所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，所述两个中频输出电源位于所述真空室外部，与所述电源连接的柱靶位于真空室内部。3.根据权利要求1所述的一种PVD镀膜产线磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张绍璞，范刚，
申请(专利权)人：厦门阿匹斯智能制造系统有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35