磁控溅射装置及磁控溅射方法制造方法及图纸

一种磁控溅射装置，包括靶材承载部，其定义有第一位置及第二位置。第一传动件及第二传动件分别设置于靶材承载部的一侧，并分别设有第一控制器及第二控制器。连接模块连接于所述第一传动件，第一控制器用以控制第一传动件于相对于第一位置及第二位置之间往复运动。第二控制器用以控制第二传动件，使第二传动件以相对于靶材承载部的垂直方向进行往复运动。磁极装置连接于第二滑动件，并经由第一滑动件及第二滑动件的带动，而在第一位置及第二位置之间往复运动，用于对靶材的表面产生磁场。

Magnetron Sputtering Device and Magnetron Sputtering Method

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射装置及磁控溅射方法
本专利技术涉及镀膜
，特别是涉及一种磁控溅射装置及磁控溅射方法。
技术介绍
磁控溅射是物理气相沉积(physicalvapordeposition,PVD)的一种方法，对于低世代的物理气相沉积设备，一般采用團簇(cluster)类型，即靶材与玻璃固定，磁体设于下方，并通过横向移动对靶材造成溅射等过程，进而完成沉积工艺。由于磁体移动到靶材边缘时，会在起始位置及到达位置有一个加速或减速的过程，因此会在靶材边缘溅射时间过长，导致靶材边缘的区域溅射严重，降低了靶材的使用寿命。为了解决前述问题，常规的提高基板成膜膜厚均匀性以及靶材消耗均匀性的方案是利用溅镀装置在边缘的停留时间的长短来实现，但是对于Cluster型的PVD镀膜设备，磁体扫描方式为往复运动，不可避免的会在靶材两端有加速和减速的过程，从而造成在靶材两端相对于中间区域靶材消耗更快，从而无法改变磁体在靶材边缘的停留时间来改善靶材消耗的均匀性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种磁控溅射装置及磁控溅射的方法，其可于物理气相沉积的溅射过程中，维持靶材溅射的均匀性，减少靶材边缘的刻蚀量，从而提高靶材的使用寿命。为实现上述目的，本专利技术提供一种磁控溅射装置，设于腔室内，用以制备显示器件的薄膜结构，所述磁控溅射装置包括：靶材承载部，定义有第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；第一传动件，设置于所述靶材承载部的一侧，并间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；第二传动件，设置于所述靶材承载部的该侧，并可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其用以控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及磁极装置，连接于所述第二滑动件，并朝向所述靶材承载部设置，且所述磁极装置经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。本专利技术另外提供一种磁控溅射方法，包括：在靶材承载部上定义第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；在所述靶材承载部的一侧设置第一传动件，其间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；提供连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；在所述靶材承载部的该侧设置第二传动件，其可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其中所述第二控制器控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及在所述第二滑动件的一端连接磁极装置，其朝向所述靶材承载部设置，并经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。依据本专利技术的一实施例，所述靶材承载部的第一位置及第二位置之间更定义有第三位置及第四位置，所述第三位置及所述第一位置之间具有第一距离，所述第三位置和所述第四位置之间具有第二距离，所述第四位置和所述第二位置之间具有第三距离，其中所述磁极装置于所述第一距离及第二距离的移动速度不同，且所述磁极装置于所述第二距离及第三距离的移动速度不同。依据本专利技术的另一实施例，所述磁极装置于所述第一距离的移动速度大于所述第二距离的移动速度，及所述磁极装置于所述第二距离的移动速度大于所述第三距离的移动速度。依据本专利技术的另一实施例，所述磁极装置位于所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离时，分别与所述靶材承载部具有第一间隔，第二间隔，及第三间隔，其中所述第二间隔不同于所述第一间隔及所述第三间隔。依据本专利技术的另一实施例，所述第一间隔小于所述第二间隔，且所述第二间隔大于所述第三间隔。依据本专利技术的另一实施例，所述第一控制器设于所述第一位置或所述第二位置相对所述靶材的外侧，所述第二控制器位于所述连接模块远离所述磁极装置的一侧，且所述第一控制器及所述第二控制器分别包括可编程逻辑控制器。依据本专利技术的另一实施例，所述连接模块于所述第一传动件上相对于所述第一位置及所述第二位置之间进行直线往复运动。本专利技术的磁控溅射装置通过所述第一传动件及所述第二传动件的配合作动，而使所述磁极装置随着横向扫描的速度而随时改变上下移动速动，进而改变靶磁距的垂直距离。亦即，所述磁极装置(磁体)靠近靶材越近，即是增加磁场，越远即是减小磁场。通过调整靶磁距的大小，用以降低靶材边缘磁场强度，进而补偿磁体在靶材边缘长时间作用导致的靶材边缘溅射严重问题，有效降低在PVD溅射过程中靶材边缘的刻蚀量，并提高靶材的使用寿命。【附图说明】图1为根据本专利技术的一较佳实施例的磁控溅射装置的结构示意图。图2A为图1的磁控溅射装置的作动示意图。图2B为图1的磁控溅射装置的另一作动示意图。图2C为图1的磁控溅射装置的另一作动示意图。图3为图1的磁控溅射装置设于腔室内的结构示意图。图4为本专利技术的的磁控溅射的方法的流程图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。本专利技术为一种磁控溅射装置，其基于物理气相沉积(physicalvapordeposition,PVD)的原理进行镀膜工艺，尤其是用于制备显示器件的薄膜结构。图1为根据本专利技术的一较佳实施例的磁控溅射装置的结构示意图。图2A为图1的磁控溅射装置的作动示意图。于此实施例中，本专利技术的磁控溅射装置作用为靶装置。如图1所示，本专利技术的磁控溅射装置1包括靶材承载部2、第一传动件31、连接模块4、第二传动件51及磁极装置6。所述靶材承载部2为板状，具体而言，为一玻璃基板，并定义有第一位置P1及第二位置P2(如图2A所示)，且所述第一位置P1及所述第二位置P2之间用于承载靶材21。具体而言，如图2A所示，所述第一位置P1及所述第二位置P2之间更定义有第三位置P3及第四位置P4。所述第三位置P3及所述第一位置P1之间具有第一距离D1，所述第三位置P3和所述第四位置P4之间具有第二距离D2，所述第四位置P4和所述第二位置P2之间具有第三距离D3。于此实施例中，所述第一距离D1相同于所述第三距离D3，但并不以此为限。续请参阅图1，所述第一传动件31设置于所述靶材承载部2的一侧，并间隔于所述靶材承载部2，且所述第一传动件31的一端设有第一控制器32，其中所述第一控制器32包括可编程逻辑控制器(programmablelogiccontroller，PLC)30。于此较佳实施例中，所述第一传动件31以水平方向设置，且平行于所述靶材承载部2。所述连接模块4连接于所述第一传动件31，其中所述第一控制器30用以控制所述第一传动件31于相对于所述第一位置P1及所述第二位置P2之间往复运动。具体而言，第一传动件31相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射装置，设于腔室内，用以制备显示器件的薄膜结构，其特征在于，所述磁控溅射装置包括：靶材承载部，定义有第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；第一传动件，设置于所述靶材承载部的一侧，并间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；第二传动件，设置于所述靶材承载部的该侧，并可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其用以控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及磁极装置，连接于所述第二滑动件，并朝向所述靶材承载部设置，且所述磁极装置经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射装置，设于腔室内，用以制备显示器件的薄膜结构，其特征在于，所述磁控溅射装置包括：靶材承载部，定义有第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；第一传动件，设置于所述靶材承载部的一侧，并间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；第二传动件，设置于所述靶材承载部的该侧，并可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其用以控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及磁极装置，连接于所述第二滑动件，并朝向所述靶材承载部设置，且所述磁极装置经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。2.如权利要求1的磁控溅射装置，其特征在于，所述靶材承载部的第一位置及第二位置之间更定义有第三位置及第四位置，所述第三位置及所述第一位置之间具有第一距离，所述第三位置和所述第四位置之间具有第二距离，所述第四位置和所述第二位置之间具有第三距离，其中所述磁极装置于所述第一距离及第二距离的移动速度不同，且所述磁极装置于所述第二距离及第三距离的移动速度不同。3.如权利要求2的磁控溅射装置，其特征在于，所述磁极装置于所述第一距离的移动速度大于所述第二距离的移动速度，及所述磁极装置于所述第二距离的移动速度大于所述第三距离的移动速度。4.如权利要求2的磁控溅射装置，其特征在于，所述磁极装置位于所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离时，分别与所述靶材承载部具有第一间隔，第二间隔，及第三间隔，其中所述第二间隔不同于所述第一间隔及所述第三间隔。5.如权利要求4的磁控溅射装置，其特征在于，所述第一间隔小于所述第二间隔，且所述第二间隔大于所述第三间隔。6.如权利要求1的磁控溅射装置，其特征在于，所述第一控制器设于所述第一位...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗延欢，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44