剥离装置制造方法及图纸

提供剥离装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离，并且能够将剥离屑从所剥离的晶片的剥离面去除。剥离装置(2)至少包含：保持单元(4)，其对锭(50)进行保持；超声波单元(6)，其对保持单元(4)所保持的锭(50)赋予超声波而对剥离层(74)进行刺激；以及剥离单元(10)，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部(36)和从保持部(36)突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁(38)。在环状壁(38)的内侧形成有多个喷射口(38a)，这些喷射口(38a)朝向从锭(50)剥离出的晶片(76)的剥离面(76a)喷射清洗水(W)而进行清洗。

Peeling device

【技术实现步骤摘要】
剥离装置
本专利技术涉及剥离装置，从形成有剥离层的锭剥离出要生成的晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话或个人计算机等电子设备。供器件形成的晶片通常是利用划片锯将圆柱形状的锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用划片锯将锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC锭，其硬度高，难以利用划片锯切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。因此，本申请人提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于单晶SiC锭的内部而对单晶SiC锭照射激光光线，在切断预定面形成剥离层，以剥离层为起点将晶片从单晶SiC锭剥离(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2016-111143号公报但是，存在如下的问题：以剥离层为起点将晶片从锭剥离较困难，生产效率差，并且会从所剥离的晶片的剥离面落下SiC分离成Si和C而得的剥离屑而产生污染物。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成，其课题在于提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离，并且能够将剥离屑从所剥离的晶片的剥离面去除。为了解决上述课题，本专利技术所提供的是以下的剥离装置。即，一种剥离装置，其从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭剥离出要生成的晶片，其中，该剥离装置至少包含：保持单元，其对锭进行保持；超声波单元，其对该保持单元所保持的锭赋予超声波而对该剥离层进行刺激；以及剥离单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部和从该保持部突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁，在该环状壁的内侧形成有多个喷射口，这些喷射口朝向从锭剥离出的晶片的剥离面喷射清洗水而进行清洗。优选从该喷射口喷射并对该保持部所保持的晶片的剥离面进行了清洗的清洗水在中央部合流而落下，对位于该保持部所保持的晶片的正下方的锭的剥离面进行清洗。优选所述锭是单晶SiC锭，其具有c轴和与c轴垂直的c面，该剥离层由改质部和从改质部沿c面按照各向同性形成的裂纹构成，其中，所述改质部按照如下方式形成：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离单晶SiC锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，使SiC分离成Si和C，从而形成该改质部。优选所述锭是c轴相对于端面的垂线倾斜并且通过c面和端面形成有偏离角的单晶SiC锭，该剥离层按照如下方式形成：在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部并且从改质部沿c面按照各向同性生成裂纹，在形成有偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围内将单晶SiC锭与聚光点相对地进行转位进给，从而在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，并且从改质部沿c面按照各向同性依次生成裂纹，从而形成该剥离层。本专利技术所提供的剥离装置至少包含：保持单元，其对锭进行保持；超声波单元，其对该保持单元所保持的锭赋予超声波而对该剥离层进行刺激；以及剥离单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部和从该保持部突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁，在该环状壁的内侧形成有多个喷射口，这些喷射口朝向从锭剥离出的晶片的剥离面喷射清洗水而进行清洗，因此能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离，并且能够对所剥离的晶片的剥离面进行清洗而将剥离屑去除。附图说明图1是按照本专利技术而构成的剥离装置的立体图。图2是示出将锭保持于保持单元的状态的剥离装置的立体图。图3是从下方观察图1所示的剥离单元的立体图。图4的(a)是锭的主视图，图4的(b)是锭的俯视图。图5的(a)是示出在图4所示的锭中形成剥离层的状态的立体图，图5的(b)是示出在图4所示的锭中形成剥离层的状态的主视图。图6的(a)是形成有剥离层的锭的俯视图，图6的(b)是图6的(a)中的B-B线剖视图。图7是示出对锭赋予超声波的状态的剥离装置的主视图。图8是示出通过剥离单元对要生成的晶片进行吸引保持的状态的剥离装置的剖视示意图。图9是示出已经以剥离层为起点从锭剥离了晶片的状态的剥离装置的剖视示意图。图10是示出对晶片的剥离面和锭的剥离面进行清洗的状态的剥离装置的剖视示意图。标号说明2：剥离装置；4：保持单元；6：超声波单元；10：剥离单元；36：保持部；38：环状壁；38a：喷射口；50：锭；70：改质部；72：裂纹；74：剥离层；76：晶片。具体实施方式以下，参照附图对按照本专利技术构成的剥离装置的实施方式进行说明。图1所示的剥离装置2包含：保持单元4，其对锭进行保持；超声波单元6，其对保持单元4所保持的锭赋予超声波而对剥离层进行刺激；水提供单元8，其对要生成的晶片与超声波单元6之间提供水；以及剥离单元10，其对要生成的晶片进行吸引保持而从锭剥离出要生成的晶片，并且对所剥离的晶片的剥离面进行清洗。参照图1和图2对保持单元4进行说明。图示的实施方式中的保持单元4具有：圆筒状的基台12；圆筒状的保持工作台14，其旋转自如地搭载于基台12的上表面上；以及电动机(未图示)，其使保持工作台14以通过保持工作台14的径向中心且在上下方向上延伸的轴线为中心进行旋转。保持单元4可以对借助适当的粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)而固定于保持工作台14的上表面的锭进行保持。或者，保持单元4也可以构成为将与吸引单元(未图示)连接的多孔质的吸附卡盘(未图示)配置于保持工作台14的上端部分，利用吸引单元在吸附卡盘的上表面生成吸引力，从而对锭进行吸引保持。图示的实施方式中的剥离装置2还包含Y轴方向移动机构16，该Y轴方向移动机构16使超声波单元6、水提供单元8以及剥离单元10在图1中箭头Y所示的Y轴方向上移动。Y轴方向移动机构16包含：长方体状的框体18，其形成有在Y轴方向上延伸的长方形状的引导开口18a；第一滚珠丝杠(未图示)，其在框体18的内部沿Y轴方向延伸；第一移动片20，其从与第一滚珠丝杠连结的基端部沿图1中箭头X所示的X轴方向延伸；第一电动机22，其与第一滚珠丝杠的一个端部连结；第二滚珠丝杠(未图示)，其在框体18的内部沿Y轴方向延伸；第二移动片24，其从与第二滚珠丝杠连结的基端部沿X轴方向延伸；以及第二电动机26，其与第二滚珠丝杠的一个端部连结。并且，Y轴方向移动机构16通过第一滚珠丝杠将第一电动机22的旋转运动转换成直线运动而传递至第一移动片20，使第一移动片20沿着引导开口18a在Y轴方向上移动，并且通过第二滚珠丝杠将第二电动机26的旋转运动转换成直线运动而传递至第二移动片24，使第二移动片24沿着引导开口18a在Y轴方向上移动。另外，X轴方向和Y轴方向垂直，由X轴方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种剥离装置，其从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭剥离出要生成的晶片，其中，该剥离装置至少包含：保持单元，其对锭进行保持；超声波单元，其对该保持单元所保持的锭赋予超声波而对该剥离层进行刺激；以及剥离单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部和从该保持部突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁，在该环状壁的内侧形成有多个喷射口，这些喷射口朝向从锭剥离出的晶片的剥离面喷射清洗水而进行清洗。

【技术特征摘要】
2017.12.05 JP 2017-2331081.一种剥离装置，其从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而照射激光光线从而形成有剥离层的锭剥离出要生成的晶片，其中，该剥离装置至少包含：保持单元，其对锭进行保持；超声波单元，其对该保持单元所保持的锭赋予超声波而对该剥离层进行刺激；以及剥离单元，其具有对要生成的晶片进行吸引保持的保持部和从该保持部突出而围绕着要生成的晶片的外周的环状壁，在该环状壁的内侧形成有多个喷射口，这些喷射口朝向从锭剥离出的晶片的剥离面喷射清洗水而进行清洗。2.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，从该喷射口喷射并对该保持部所保持的晶片的剥离面进行了清洗的清洗水在中央部合流而落下，对位于该保持部所保持的晶片的正下方的锭的剥离面进行清洗。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：日野原和之，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP