一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法技术

本发明专利技术提供了一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，包括如下步骤：步骤1、使用CVD工艺在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄膜；步骤4、对氮化硅薄膜层进行紫外光刻，将所设计的薄膜图形转移到氮化硅层上；步骤5、在曝光显影过后对氮化硅薄膜层进行RIE即反应离子刻蚀，刻出氮化硅薄膜结构的形状，在氮化硅薄膜结构边缘刻蚀若干小孔，用于释放H2；步骤6、刻出薄膜结构后对氮化硅薄膜进行快速退火，得到表面无水泡的低应力氮化硅薄膜。本发明专利技术方法既能够精确控制氮化硅薄膜应力，又能够保证薄膜的完整性。

A Method for Fabricating Low Stress Silicon Nitride Films without Bubbles

【技术实现步骤摘要】
一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法
本专利技术属于硅微机械加工
，具体涉及一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法。
技术介绍
氮化硅薄膜广泛的应用于MEMS(微机电系统)器件中，比如MEMS麦克风、光伏器件等等。氮化硅薄膜具有高介电常数，高绝缘强度，漏电低，对水汽具有良好的阻挡能力，常用作钝化、隔离等薄膜材料，且易于实现大面积生长，制备成本较低。因此，氮化硅薄膜凭借着优良的机械性能和稳定性，在新兴的微机械加工工艺中是一种非常重要的材料。氮化硅薄膜的沉积方法有很多，常用的有LPCVD、PECVD等，采用PECVD能在低温下生长出致密的，具有优良性能的氮化硅薄膜。PECVD法生长氮化硅薄膜利用非平衡等离子体具有很高能量这一重要特性，使得原先在通常条件下，需要在高温才能实现的许多化学反应，在低温下也能实现。在许多MEMS器件中需要控制氮化硅薄膜的应力，而直接用CVD沉积的氮化硅薄膜在应力上很难实现低应力的需求，因此在本专利技术中采用氮化硅薄膜退火的方法，根据退火的温度不同，氮化硅薄膜的应力可以得到控制。但是，在退火过程中，氮化硅薄膜以及氮化硅薄膜下面的二氧化硅薄膜中存在的Si-H键会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、使用化学气相沉积技术(CVD)在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄膜；步骤4、对氮化硅薄膜层进行紫外光刻，将所设计的薄膜图形转移到氮化硅层上；步骤5、在曝光显影过后对氮化硅薄膜层进行RIE即反应离子刻蚀，刻出氮化硅薄膜结构的形状，在氮化硅薄膜结构边缘刻蚀若干小孔，用于释放H2；步骤6、刻出薄膜结构后对氮化硅薄膜进行快速退火，得到表面无水泡的低应力氮化硅薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、使用化学气相沉积技术(CVD)在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄膜；步骤4、对氮化硅薄膜层进行紫外光刻，将所设计的薄膜图形转移到氮化硅层上；步骤5、在曝光显影过后对氮化硅薄膜层进行RIE即反应离子刻蚀，刻出氮化硅薄膜结构的形状，在氮化硅薄膜结构边缘刻蚀若干小孔，用于释放H2；步骤6、刻出薄膜结构后对氮化硅薄膜进行快速退火，得到表面无水泡的低应力氮化硅薄膜。2.如权利要求1所述一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦，王俊力，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42