氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法技术

本发明专利技术属于半导体存储器组件领域，具体为氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法。一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上。本发明专利技术通过改进现有氮化硅沉积炉管硬件设施，避免了晶舟载台金属物质与腐蚀气体产生化学反应产生黑色微尘颗粒，进而避免了因微尘颗粒导致晶圆产品缺陷的产生，提高了产品良率。

Silicon Nitride Deposition Furnace Tube and the Method of Optimizing Automatic Defilm Process

【技术实现步骤摘要】
氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法
本专利技术属于半导体存储器组件领域，特别涉及内存组件装置构造流程，利用晶体管控制数位信号储存，应用于动态随机存取内存，具体为氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法。
技术介绍
由于LPCVD(Low-pressureCVD)低压化学气相沉积法氮化硅沉积炉管在日常沉积薄膜时会沉积一部分氮化硅在晶舟和内外石英管等零件上。随着处理货的批次数越来越多，残留在零件上的薄膜会越来越多，会很容易脱落到晶圆上从而产生微尘(particle)。所以机台微尘的量会随着处理货批次数的增加而增加，并且发现在定量批次后，微尘量再也不会有低点。一般情况下，LPCVD氮化硅沉积炉管在处理到定量批次后会进行周期自动去膜维护(AUTOCLN)。自动去膜维护是通过通入氟气等腐蚀性气体对残留在零件上的薄膜进行腐蚀，从而使残留的薄膜从零件上大量脱落并通过震荡等步骤送入厂务端。机台经过自动去膜维护后微尘量会降低，但随着周期自动去膜维护后机台处理货的批次数逐渐增加，微尘量会再次增加(如图1)，所以机台周期自动去膜维护会伴随着机台处理货而一直实施。现阶段LPCVD氮化硅沉积炉管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，其特征在于，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫的直径大于所述晶舟载台的直径且大于所述内石英管的内径，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配，所述环形遮护部的外径小于所述外石英管的内径，所述环形遮护部顶部为空的，所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上，所述外石英管设有底部进气口及排气口。

【技术特征摘要】
2017.12.14 CN 20171133618911.一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，其特征在于，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫的直径大于所述晶舟载台的直径且大于所述内石英管的内径，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配，所述环形遮护部的外径小于所述外石英管的内径，所述环形遮护部顶部为空的，所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上，所述外石英管设有底部进气口及排气口。2.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管，其特征在于，所述进气口设于所述外石英管的一面，并且所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离小于所述环形遮护部顶部距离氮化硅沉积炉管底部的距离，所述排气口设于所述外石英管在相对应于所述进气口的另一面，所述排气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离大于所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离。3.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管，其特征在于，所述载盘遮护垫的直径介于470～490mm，所述环形遮护部的高度介于90～110mm。4.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管，其特征在于，所述晶舟载台的直径介于290～310mm，所述晶舟载台的高度介于25～35mm，所述底座套环的内径介于310～330mm，所述底座套环的高度与所述晶舟载台的高度对应匹配。5.一种氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，包括提供如权利要求1所述的一种氮化硅沉积炉管，所述方法还包括如下步骤：步骤1：利用晶舟升降机将所述晶舟送入氮化硅沉积炉管内；步骤2：通过所述进气口向氮化硅沉积炉管内通入氮气，随后再用泵通过所述排气口将氮气抽走，带走氮化硅沉积炉管内的微尘颗粒，然后将氮化硅沉积炉管内的压力抽到真空状态；步骤3：经过步骤2后，将氮化硅沉积炉管内压力慢抽到5torr左右，再将压力快抽到底压，使得所述晶舟内承载的晶圆震动，并在此过程中进行降温处理；步骤4：经过步骤3后，再从所述进气口通入腐蚀性气体A对残留在零件上的薄膜进行刻蚀；步骤5：向氮化硅沉积炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34