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本发明提供了一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，包括如下步骤：步骤1、使用CVD工艺在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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