【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法
本专利技术涉及一种封装结构，还涉及一种具有缓冲层的封装结构及其形成方法。
技术介绍
随着可携式多媒体电子产品及穿戴式电子装置的蓬勃发展，封装技术朝向更高的元件集成度、更快的信号处理速度及超薄化的方向发展。然而，由于封装结构中所使用的各种不同的材料具有不同的热膨胀系数，当制造或使用具有此封装结构的电子装置时，因为热能所产生的热应力将可能造成封装结构的翘曲，甚至是电子装置的失效。这样的技术问题在薄型化的封装结构变得更加严重。因此，为了进一步提升薄型化电子装置的良率、可靠度、效能稳定性与产品生命周期，仍有需要对封装结构进行改良。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种封装结构，包括：图案化的重新分配层，形成于基板上；管芯，形成于图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于图案化的重新分配层上，其中底部填充物层直接接触图案化的重新分配层与管芯；缓冲层，形成于基板上且直接接触图案化的重新分配层的侧壁，其中缓冲层由缓冲材料所形成；以及模制化合物层，形成于底部填充物层、管芯及缓冲层上，且模制化合物层由模制化合物材料所形成，其中模制化合物材料的杨氏系数大...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：图案化的重新分配层，形成于一基板上；管芯，形成于该图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于该图案化的重新分配层上，其中该底部填充物层直接接触该图案化的重新分配层与该管芯；缓冲层，形成于该基板上且直接接触该图案化的重新分配层的一侧壁，其中该缓冲层由一缓冲材料所形成；以及模制化合物层，形成于该底部填充物层及该管芯上，且该模制化合物层由一模制化合物材料所形成，其中该模制化合物材料的杨氏系数大于该缓冲材料的杨氏系数。
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：图案化的重新分配层，形成于一基板上；管芯，形成于该图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于该图案化的重新分配层上，其中该底部填充物层直接接触该图案化的重新分配层与该管芯；缓冲层，形成于该基板上且直接接触该图案化的重新分配层的一侧壁，其中该缓冲层由一缓冲材料所形成；以及模制化合物层，形成于该底部填充物层及该管芯上，且该模制化合物层由一模制化合物材料所形成，其中该模制化合物材料的杨氏系数大于该缓冲材料的杨氏系数。2.如权利要求1所述的封装结构，还包括：导电柱，形成于该基板上，其中该导电柱并未直接接触该图案化的重新分配层，且该导电柱与该缓冲层的一侧壁直接接触；以及焊料凸块，形成于该基板的一开口中且与该导电柱接触。3.如权利要求1所述的封装结构，其中该缓冲材料的杨氏系数为1.5～4GPa，且缓冲材料的热膨胀系数为30～70ppm/℃。4.如权利要求1所述的封装结构，其中该缓冲材料的热膨胀系数大于该模制化合物材料的热膨胀系数。5.如权利要求2所述的封装结构，其中该缓冲层的高度大于或等于该图案化的重新分配层的高度与该管芯的高度总和。6.如权利要求2所述的封装结构，其中该导电柱的高度小于或等于该缓冲层的高度。7.如权利要求2所述的封装结构，其中该模制化合物层的一顶表面、该缓冲层的一顶表面及该导电柱的一顶表面共平面。8.如权利要求2所述的封装结构，其中该模制化合物层覆盖该缓冲层的一顶表面且具有一开口，其中该开口暴露该导电柱的一顶表面。9.如权利要求1所述的封装结构，其中该底部填充物层由一底部填充物材料所形成，且其中该底部填充物层的材料、该模制化合物层的材料与该缓冲层的材料彼此互不相同。10.如权利要求9所述的封装结构，其中该底部填充物材料相同于该模制化合物材料。11.如权利要求1所述的封装结构，其中该图案化的重新分配层包括一开口，且该缓冲材料的一部分填入该图案化的重新分配层的该开口中，而形成一缓冲区。12.如权利要求1或11所述的封装结构，其中该底部填充物层的一顶表面与该管芯的一顶表面共平面。13.一种封装结构，其特征在于，包括：图案化的重新分配层，形成于一基板上；管芯，形成于该图案化的重新分配层上；底部填充物层，形成于该图案化的重新分配层上，其中该底部填充物层直接接触该图案化的重新分配层与该管芯；静电防护环，包围该图案化的重新分配层，且该静电防护环的一侧壁直接接触该图案化的重新分配层...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟育华，杨孟融，陈彦儒，王泰瑞，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，创智智权管理顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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