【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
MOS晶体管是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，位于栅极结构一侧半导体衬底内的源区和位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。MOS晶体管的工作原理是：通过在栅极结构施加电压，调节通过栅极结构底部沟道的电流来产生开关信号。随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。而鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁表面的栅极结构，位于栅极结构一侧的鳍部内的源区和位于栅极结构另一侧的鳍部内的漏区。然而，现有技术中鳍式场效应晶体管构成的半导体器件的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成鳍部，鳍部...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成鳍部，鳍部包括第一区和位于第一区上的第二区，所述鳍部第一区的侧壁被隔离结构覆盖，且鳍部第二区的侧壁被隔离结构完全暴露，在鳍部宽度方向上，所述鳍部第二区中底部的尺寸小于鳍部第一区中的顶部的尺寸；在隔离结构上形成横跨鳍部第二区的栅极结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成鳍部，鳍部包括第一区和位于第一区上的第二区，所述鳍部第一区的侧壁被隔离结构覆盖，且鳍部第二区的侧壁被隔离结构完全暴露，在鳍部宽度方向上，所述鳍部第二区中底部的尺寸小于鳍部第一区中的顶部的尺寸；在隔离结构上形成横跨鳍部第二区的栅极结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述隔离结构之前，在半导体衬底上形成初始鳍部；形成所述隔离结构后，隔离结构覆盖初始鳍部的部分侧壁；对所述隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀，使初始鳍部形成所述鳍部。3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始鳍部的底部宽度大于初始鳍部的顶部宽度。4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构暴露出的初始鳍部包括第一暴露区和位于第一暴露区上的第二暴露区；在对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的过程中，在沿初始鳍部宽度方向上，对第一暴露区的平均刻蚀尺寸大于对第二暴露区的平均刻蚀尺寸。5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的过程中，初始鳍部的侧壁表面至半导体衬底表面的距离越小的区域在沿初始鳍部宽度方向上受到刻蚀的尺寸越大。6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的工艺为干刻工艺，参数包括：采用的气体包括NF3、H2和He，NF3的流量为5sccm～15sccm，H2的流量为30sccm～50sccm，He的流量为4500sccm～6000sccm，源射频功率为28瓦～35瓦，腔室压强为0torrr～0.05torr。7.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的过程中，在沿初始鳍部宽度方向上，对初始鳍部的侧壁表面各处的刻蚀尺寸相等。8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的工艺为干刻工艺，参数包括：采用的气体包括NF3、H2和He，NF3的流量为180sccm～220sccm，H2的流量为3600sccm～3800sccm，He的流量为2200sccm～2300sccm，源射频功率为220瓦～300瓦，腔室压强为2torrr～5torr。9.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的方法包括：在所述半导体衬底上形成覆盖初始鳍...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，陶骞，钟伯琛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路新技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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