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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成鳍部，鳍部包括第一区和位于第一区上的第二区，所述鳍部第一区的侧壁被隔离结构覆盖，且鳍部第二区的侧壁被隔离结构完全暴露，在鳍部宽度...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。