LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管技术

一种LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管。其中，LDMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；在所述鳍部内形成漂移区；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的顶部和侧壁，所述栅极结构部分覆盖所述漂移区；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层，所述漏极材料层在所述漂移区内；对所述源极材料层和漏极材料层进行离子注入，形成源极和漏极。采用本发明专利技术的方法形成的LDMOS晶体管，性能有所提高。

Formation of LDMOS Transistors and LDMOS Transistors

【技术实现步骤摘要】
LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管。
技术介绍
横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LateralDiffusionMOS,LDMOS)，由于具备高击穿电压，与CMOS工艺兼容的特性，被广泛应用于功率器件中。与传统MOS晶体管相比，LDMOS器件在漏区与栅极之间至少有一个隔离结构。LDMOS接高压时，通过该隔离结构来承受较高的电压降，获得高击穿电压的目的。现有技术公开了一种鳍式LDMOS晶体管，上述鳍式LDMOS晶体管的形成方法如下：参考图1和图2，提供半导体衬底10，所述半导体衬底具有第一鳍部111、第二鳍部112和位于第一鳍部111和第二鳍部112之间的第三鳍部113。第三鳍部113的长度远小于第一鳍部111和第二鳍部112。在第一鳍部111和第三鳍部113之间形成第一浅沟槽隔离结构121，第二鳍部112和第三鳍部113之间形成第二浅沟槽隔离结构122。第一浅沟槽隔离结构121和第二浅沟槽隔离结构122的高度低于第一鳍部111至第三鳍部113的高度。形成横跨第一鳍部111的第一栅极结构131，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；在所述鳍部内形成漂移区；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的顶部和侧壁，所述栅极结构部分覆盖所述漂移区；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层，所述漏极材料层在所述漂移区内；对所述源极材料层和漏极材料层进行离子注入，形成源极和漏极；其中，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层的同时，还形成至少一个伪漏极材料层，所述伪漏极材料层在所述漂移区内；对所述源极材料层和漏极材料层进行离子注入的同时，对所述伪漏极材料层进行离子注入，形成伪漏极。

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；在所述鳍部内形成漂移区；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的顶部和侧壁，所述栅极结构部分覆盖所述漂移区；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层，所述漏极材料层在所述漂移区内；对所述源极材料层和漏极材料层进行离子注入，形成源极和漏极；其中，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层的同时，还形成至少一个伪漏极材料层，所述伪漏极材料层在所述漂移区内；对所述源极材料层和漏极材料层进行离子注入的同时，对所述伪漏极材料层进行离子注入，形成伪漏极。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底还具有阱区，所述阱区包围所述漂移区。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述漂移区的注入类型与所述阱区的注入类型相反。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层的步骤之前，还包括：在所述栅极结构的周围形成侧墙。5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的周围形成侧墙之后，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层的步骤之前，还包括下列步骤：在所述漂移区上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层与所述栅极结构厚度相同，所述第一阻挡层用于定义漏极的位置和宽度。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层为多晶硅栅极结构。7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成第一阻挡层后，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源极材料层和漏极材料层的步骤之前，还包括在第一阻挡层周围形成侧墙的步骤。8.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层至少为一个，所述栅极结构与最靠近栅极结构的第一阻挡层定义漏极的位置和宽度，剩余的两个相邻的第一阻挡层定义所述伪漏极的位置和宽度，或者，所述第一阻挡层至少为两个，相邻的两个第一阻挡层定义漏极的位置和宽度，剩余的第一阻挡层定义伪漏极的位置和宽度。9.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述源极材料层、漏极材料层和伪漏极材料层的形成方法包括：以侧墙、第一阻挡层为掩膜刻蚀鳍部，在鳍部内形成源极凹槽、漏极凹槽和伪漏极凹槽，所述漏极凹槽与所述伪漏极凹槽在所述漂移区内；在所述源极凹槽、漏极凹槽和伪漏极凹槽内分别对应形成源极材料层、漏极材料层和伪漏极材料层。10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管时，所述源极材料层、所述漏极材料层和所述伪漏极材料层为锗硅层；所述晶体管为NMOS晶体管时，所述源极材料层、所述漏极材料层和所述伪漏极材料层为碳化硅层。11.如权利要求1或5所述的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源极材料层和漏极材料层的步骤之前，还包括下列步骤：在栅极结构远离漂移区的一侧形成第二阻挡层，所述第二阻挡层与所述栅极结构厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，赵杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31