一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供包括单元区和外围区的半导体衬底，所述半导体衬底上由下至上依次形成有栅极材料层和核心材料层；图案化所述核心材料层，以形成位于所述单元区的第一核心和位于所述外围区的第二核心，所述第二核心的尺寸大于所述第一核心；在所述第一核心和所述第二核心的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一核心；以所述间隙壁和所述第二核心为掩膜执行刻蚀，以图案化所述栅极材料层。本发明专利技术提供的半导体器件的制造方法，核心区和外围区的图案使用同一掩膜形成，既减少了使用掩膜的步骤，又简化了制造工艺，并且避免了多次使用掩膜造成的套刻问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体制程技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。而NAND(与非门)快闪存储器由于具有大存储容量和相对高的性能，广泛用于读/写要求较高的领域。NAND快闪存储器通常包括用于形成存储单元的单元(cell)区和用于形成外围电路的外围(periphery)区。在NAND的制造工艺中，位于NAND器件的单元(cell)区的栅极(包括控制栅和浮栅)与位于外围区的选择栅由于尺寸不一致，因而通常使用不同的掩膜工艺来制造，从而使工序复杂、成本高。此外，由于先后采用不同的掩膜工艺，在制造过程中还会带来单元区与外围区的套刻(overlay)的问题。因此，为了解决上述问题，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供包括单元区和外围区的半导体衬底，所述半导体衬底上由下至上依次形成有栅极材料层和核心材料层；图案化所述核心材料层，以形成位于所述单元区的第一核心和位于所述外围区的第二核心，所述第二核心的尺寸大于所述第一核心；在所述第一核心和所述第二核心的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一核心；以所述间隙壁和所述第二核心为掩膜执行刻蚀，以图案化所述栅极材料层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供包括单元区和外围区的半导体衬底，所述半导体衬底上由下至上依次形成有栅极材料层和核心材料层；图案化所述核心材料层，以形成位于所述单元区的第一核心和位于所述外围区的第二核心，所述第二核心的尺寸大于所述第一核心；在所述第一核心和所述第二核心的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一核心；以所述间隙壁和所述第二核心为掩膜执行刻蚀，以图案化所述栅极材料层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一核心的步骤中不使用掩膜。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外围区包括低压电路区和高压电路区。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底的所述单元区和所述低压电路区上形成有第一栅极介电层，所述半导体衬底的所述高压电路区上形成有第二栅极介电层。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31