The embodiment of the present disclosure provides a semiconductor device including a flash memory and a method for its fabrication. In some embodiments, the method comprises a first gate material layer and a gate insulating film on a patterned substrate, a first gate material layer comprising a first gate material, a gate insulating film located on the first gate material layer, a second gate material layer forming on the side wall of the substrate, the gate insulating film and the first gate material layer, and a second gate material layer comprising a second gate material etching; The second grid material layer exposes the substrate and the grid insulating film, and provides a part of the second grid material layer along each side wall of the first grid material layer; and etches the grid insulating film and the first grid material layer to form a plurality of grid structures.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制作方法
本专利技术实施例涉及半导体装置与其形成方法，更特别涉及于制作含埋置快闪存储器的装置的方法与其形成的装置。
技术介绍
随着互补式金属氧化物半导体装置的尺寸缩小，需考量新的材料与概念以符合进阶的效能目标。互补式金属氧化物半导体技术包含n型金属氧化物半导体与p型金属氧化物半导体。举例来说，金属氧化物半导体场效晶体管为用于放大或切换电子信号的晶体管。N型金属氧化物半导体与p型金属氧化物半导体的金属氧化物半导体晶体管与多种其他装置中的高效能之一，为装置切换频率。可形成接点至晶体管的栅极、源极、与漏极区。微电脑为含快闪存储器及/或逻辑电路如中央处理器的半导体装置，且通常具有许多金属氧化物半导体晶体管形成于半导体基板上的结构。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体装置的制作方法，包括：图案化基板上的第一栅极材料层与栅极绝缘膜，第一栅极材料层包括第一栅极材料，栅极绝缘膜位于第一栅极材料层上；形成第二栅极材料层于基板、栅极绝缘膜、与第一栅极材料层的侧壁上，且第二栅极材料层包括第二栅极材料；蚀刻第二栅极材料层以露出基板与栅极绝缘膜，并沿着第一栅极材料层的每一...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制作方法，包括：图案化一基板上的一第一栅极材料层与一栅极绝缘膜，该第一栅极材料层包括第一栅极材料，且该栅极绝缘膜位于该第一栅极材料层上；形成一第二栅极材料层于该基板、该栅极绝缘膜、与该第一栅极材料层的侧壁上，且该第二栅极材料层包括第二栅极材料；蚀刻该第二栅极材料层以露出该基板与该栅极绝缘膜，并沿着该第一栅极材料层的每一侧壁提供该第二栅极材料层的一部分；以及在形成与蚀刻该第二栅极材料层之后，蚀刻该栅极绝缘膜与该第一栅极材料层以形成多个栅极结构。
【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/592,660;2018.07.11 US 16/032,6011.一种半导体装置的制作方法，包括：图案化一基板上的一第一栅极材料层与一栅极绝缘膜，该第一栅极材料层包括第一栅极材料，且该栅极绝缘膜位...
【专利技术属性】
技术研发人员：林建宏，莫竣杰，郭仕奇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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