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本公开实施例提供含快闪存储器的半导体装置与其制作方法。在一些实施例中，方法包括图案化基板上的第一栅极材料层与栅极绝缘膜，第一栅极材料层包括第一栅极材料，栅极绝缘膜位于第一栅极材料层上；形成第二栅极材料层于基板、栅极绝缘膜、与第一栅极材料层的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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