三维存储器的制造方法及三维存储器技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的制造方法及三维存储器。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有依次叠置的下层堆叠结构和上层堆叠结构，所述下层堆叠结构中具有下沟道孔以及填充于所述下沟道孔内的填充层，所述上层堆叠结构中具有与所述下沟道孔连通的上沟道孔；形成至少覆盖所述上沟道孔的侧壁的保护层；去除所述填充层与所述保护层，形成具有相同平坦度的上沟道孔侧壁和下沟道孔侧壁。本发明专利技术避免了在去除下沟道孔内的填充物时对上沟道孔侧壁的损伤，实现了对三维存储器电性能的改善。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制造方法及三维存储器
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维存储器的制造方法及三维存储器。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。随着集成度的越来越高，3DNAND存储器已经从32层发展到64层、128层，甚至更高的层数。然而，在具有SCF(SingleChannelFormation，单沟道构造)结构的3DNAND存储器中，上层沟道孔的形貌与下层沟道孔的形貌存在显著差异，从而严重影响3DNAND存储器的电性能。因此，如何提高三维存储器的电性能，是目前亟待解决的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的下层堆叠结构和上层堆叠结构，所述下层堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述下层堆叠结构的下沟道孔以及填充于所述下沟道孔内的填充层，所述上层堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述上层堆叠结构且与所述下沟道孔连通的上沟道孔；形成至少覆盖所述上沟道孔的侧壁的保护层；去除所述填充层与所述保护层，形成具有相同平坦度的上沟道孔侧壁和下沟道孔侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的下层堆叠结构和上层堆叠结构，所述下层堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述下层堆叠结构的下沟道孔以及填充于所述下沟道孔内的填充层，所述上层堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述上层堆叠结构且与所述下沟道孔连通的上沟道孔；形成至少覆盖所述上沟道孔的侧壁的保护层；去除所述填充层与所述保护层，形成具有相同平坦度的上沟道孔侧壁和下沟道孔侧壁。2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，形成至少覆盖所述上沟道孔的侧壁的保护层的具体步骤包括：沿所述上沟道孔沉积保护层材料，形成覆盖所述上沟道孔的侧壁与所述填充层端部的保护层。3.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，去除所述填充层与所述保护层的具体步骤包括：去除覆盖于所述填充层端部的所述保护层，暴露所述填充层。4.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，去除覆盖于所述填充层端部的所述保护层的具体步骤包括：采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述填充层端部的所述保护层，暴露所述填充层。5.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，暴露所述填充层之后还包括如下步骤：去除所述保护层表面与暴露的所述填充层表面的自然氧化物。6.根据权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述填充层的材料相同；暴露所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋冬门，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42