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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供包括单元区和外围区的半导体衬底，所述半导体衬底上由下至上依次形成有栅极材料层和核心材料层；图案化所述核心材料层，以形成位于所述单元区的第一核心和位于所述外围区的第二核心，所述第二核心的尺寸大于所...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。