【技术实现步骤摘要】
一种正装集成单元二极管芯片
本专利技术涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。
技术介绍
常规的正装集成单元二极管芯片，电流扩散不均匀，导致发光效率的损失，现有结构下的二极管单元二极管芯片散热通过蓝宝石衬底实现，散热性较差，从而影响单元二极管芯片的效率和稳定性，因此通常正装发光二极管单元二极管芯片主要的应用领域为0.5瓦以下的中小功率单元二极管芯片市场，无法提供单位面积流明输出高的产品。电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀，导致其在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大的局限性，目前市场上的整装二极管技术无法提供有效的解决方案。现有技术一为专利公开号为US6614056B1的美国专利申请，如图1所示，21/23为N型电极，19/20ab为P型电极。电流的扩散的机理如下：ITO(氧化铟锡)与p-GaN形成欧姆接触后，在ITO上沉积19/20ab金属，通过电极线的方式，将空穴扩散到p-GaN，到达量子阱有源区，在量子阱有源区与21/22N型电极扩散过来的电子通过辐射复合发光，获得发光的LED器件。采用ITO透明导电欧姆接触，加金...
【技术保护点】
1.一种正装集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构，所述二极管台面结构包括n个二极管单元，所述n个二极管单元呈几何形状排列，所述电极宽度及台面结构面积根据电流确定，其中，n≥2。
【技术特征摘要】
1.一种正装集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构，所述二极管台面结构包括n个二极管单元，所述n个二极管单元呈几何形状排列，所述电极宽度及台面结构面积根据电流确定，其中，n≥2。2.一种如权利要求1所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括孔结构。3.一种如权利要求2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔结构包括1个～10000个孔单元，所述孔单元直径为0.001微米～20微米。4.一种如权利要求3所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔单元对称排列，非对称排列，周期性排列，非周期性排列或随机排列。5.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述每个二极管单元上含有1个～10000个孔单元，孔单元形状为三角形、正方形、长方形、五边形、六边形、圆形、以及其他任意定义形状。6.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元的连接方式可以为：并联，串联，设定比例的串并联混合。7.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元形状为：三角形、正方形、长方形、五边形、六边形、圆形、任意自定义形状。8.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内，所述二极管单元数量为2个～1000亿个。9.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元长度为0.001微米～200微米。10.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内，所述二极管单元按照均匀的对称排列分布。11.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内，所述二极管单元大小不等，不均匀分布设置。12.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括透明导电电极，及线条型电极线；所述线条型电极线为二极管单元间电极连接线。13.一种如权利要求12所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线宽度为0.001微米～20微米，所述线条型电极线厚度为0.001微米～10微米。14.一种如权利要求12所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线包括第一类型电极线和第二类型电极线，线条型电极线布局方式为：1个以上第一类型电极线包围台面的布局；或1个以上第二类型电极线包围台面布局；或第一类型电极线和第二类型电极线数量相等布局；或第一型电极线和...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋振宇，闫春辉，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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