一种ITO膜层的后处理方法技术

本发明专利技术公开了一种ITO膜层的后处理方法，该方法将已经过ITO镀膜的膜层结构置于环境温度不超过80℃的密封腔室中，使ITO膜层经过惰性气体灯的照射，进行烧结处理。本发明专利技术采用本发明专利技术采用80℃下退火温度，通过闪灯退火工艺，制得的ITO薄膜，在其他参数保持一致的情况下，透过率大大增加，耐酸耐碱，与高温下制得的ITO薄膜相比，本实施例中的电阻透过率在80％以上。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO膜层的后处理方法
本专利技术涉及一种ITO膜层的后处理方法，属于领域，尤其是领域。
技术介绍
随着便携式移动设备的普及，平面显示器以其轻薄的机身、自身能耗低、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器主要包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)，以及有机发光二极管显示器件。OLED与LCD相比，具有不需要背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用范围广、制作简单等优点，已逐渐占据市场的主流。OLED显示装置根据驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两类。AMOLED每个像素配备具有开关功能的低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiThinFilmTransistor，LTP-SiTFT)，而且每个像素配备一个电荷存储电容，外围驱动电路和显示阵列整个系统集成在同一玻璃基板上。有源驱动属于静态驱动方式，具有存储效应，可进行100％负载驱动，这种驱动不受扫描电极数的限制，可以对各像素独立进行选择性调节。有源驱动无占空比问题，驱动不受扫描电极数的限制，易于实现高亮度和高分辨率。基本上所有的TFT基板都不耐高温，所以TFT的工艺制程必须在相对低温下进行，所用到的硅层是利用硅化物气体制造出的非晶硅或多晶硅层，当代显示技术的发展需要更高性能的TFT以驱动LCD像素及AMOLED像素，非晶硅TFT具有制备工艺简单，均一性好的优点，但其迁移率较低，无法满足对驱动的要求；低温多晶硅虽然迁移较高，但其需要激光辅助退火而制造成本过高，且多晶硅量产均一性差，无法满足大面积高分辨率的显示器生产的需求。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是以低温下的闪灯退火工艺为基础，获得一种ITO膜层的后处理方法。为实现上述专利技术目的之一，本专利技术采用的后处理方法的技术方案如下：本专利技术中的后处理方法适合各类型的具有ITO膜层的镀膜后处理，具体为闪灯退火工艺，将已经过ITO镀膜的膜层结构置于环境温度不超过80℃的密封腔室中，使ITO膜层经过惰性气体灯的照射，进行烧结处理。优选地，惰性气体灯对膜层结构的照射为间接照射，灯光通过反射镜反射后照射在膜面上。优选地，惰性气体灯包括氙灯、氩灯、氦灯、氪灯。优选地，惰性气体灯为螺旋氙灯。优选地，闪灯能量密度80～130J/㎡以下，闪灯时间在0～2ms以下，脉冲1～2次。优选地，ITO膜层通过ITO前驱体液涂覆在基板上，150～300℃烘10min以上，涂覆两次。更优选地，ITO前驱体液In前驱体液和Sn前驱体液混合，并搅拌1h以上，形成ITO前驱体液。更有选地，ITO前驱液为In前驱体液和Sn前驱体液以12.3:1～9:1的物质量比混合。与现有技术相比，本专利技术采用80℃下退火温度，通过闪灯退火工艺，制得的ITO薄膜，在其他参数保持一致的情况下，透过率大大增加，耐酸耐碱，与高温下制得的ITO薄膜相比，本实施例中的电阻透过率在80％以上。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术提供的ITO膜层的后处理方法作进一步详细、完整地说明。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。下述实施例中所用的实验材料如无特殊说明，均为市场购买得到。本实施例采用OLED屏幕进行ITO膜层的后处理烧结，其中OLED屏幕为柔性基材屏幕，以50W以上的O2等离子体处理基体，将ITO前驱体液涂覆在基板上，并在150～300℃烘10min以上，干燥处理得到所述薄膜；重复操作一次；将所述薄膜在80℃以下空气氛围退火，之后进行闪灯强脉冲光烧结处理，闪灯能量密度在80～130J/㎡以下，闪灯时间在0～2ms以下，脉冲1～2次；前驱液为In前驱体液和Sn前驱体液以12.3:1～9:1的物质量比混合，并搅拌1h以上，形成ITO前驱体液。经过本实施例中的闪灯退火工艺，得到的ITO薄膜性能如下表1所示：表1电阻(Ω)透过率厚度(nm)耐酸耐碱80欧姆70-100>87％约350okok30欧姆30-40>80％500-800okok10欧姆10-15>85％1200-1500okok表2：高温下镀制ITO薄膜的性能表电阻(Ω)透过率厚度(nm)耐酸耐碱80欧姆70-120>87％180-300okok30欧姆25-40>80％500-800okok10欧姆8-12>85％1200-1500okok由上表1和表2可以看出，采用本专利技术中的后处理方法处理过的ITO薄膜的各项性能参数与高温下镀制的薄膜性能几乎一致，说明本专利技术中的方法可以有效地降低ITO薄膜的后处理温度，并且得到的产品可以符合市场要求。最后有必要在此说明的是：以上实施例只用于对本专利技术的技术方案作进一步详细地说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，本领域的技术人员根据本专利技术的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITO膜层的后处理方法，其特征在于：将已经过ITO镀膜的膜层结构置于环境温度不超过80℃的密封腔室中，使ITO膜层经过惰性气体灯的照射，进行烧结处理。

【技术特征摘要】
1.一种ITO膜层的后处理方法，其特征在于：将已经过ITO镀膜的膜层结构置于环境温度不超过80℃的密封腔室中，使ITO膜层经过惰性气体灯的照射，进行烧结处理。2.根据权利要求1所述的ITO膜层的后处理方法，其特征在于：惰性气体灯对膜层结构的照射为间接照射，灯光通过反射镜反射后照射在膜面上。3.根据权利要求1所述的ITO膜层的后处理方法，其特征在于：惰性气体灯包括氙灯、氩灯、氦灯、氪灯。4.根据权利要求1所述的ITO膜层的后处理方法，其特征在于：惰性气体灯为螺旋氙灯。5.根据权利要求1所述的ITO膜层的后处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄乐，祝海生，陈立，凌云，黄夏，孙桂红，黄国兴，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43