一种湿法刻蚀设备及方法技术

本申请实施例公开了一种湿法刻蚀设备及方法，其中，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀设备及方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，涉及但不限于一种湿法刻蚀设备及方法。
技术介绍
在半导体器件的形成过程中，常规的工艺过程主要包括不同材料层的沉积过程和对不同材料的刻蚀过程。目前，在刻蚀工艺中，主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，湿法刻蚀主要是指采用液态化学药品对待刻蚀器件的材料进行局部或者整体去除的过程。湿法刻蚀的工艺原理是采用适当的刻蚀液与待刻蚀器件的待刻蚀材料进行化学反应，以改变待刻蚀器件的结构以及待刻蚀器件表面的形貌。现有的湿法刻蚀设备一般是在待刻蚀器件表面的中心位置之上设置一个喷嘴，通过该喷嘴向待刻蚀器件以固定的喷淋速度喷淋刻蚀液。但是，采用一个喷嘴以固定喷淋速度喷淋刻蚀液的方式，由于是对待刻蚀器件形成单点冲击，因此，容易在待刻蚀器件的中心位置形成局部的过刻蚀，进而使得待刻蚀器件的硅片厚度变化量(TotalThicknessVariation，TTV)难以控制。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种湿法刻蚀设备及方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种湿法刻蚀设备，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置：所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。在其他实施例中，所述设备还包括：参数调整装置；所述参数调整装置，与所述刻蚀液输入装置和/或所述至少两个喷嘴连接，用于调整所述设备的刻蚀参数；其中，所述刻蚀参数包括以下至少之一：刻蚀速度、刻蚀厚度和TTV。在其他实施例中，所述参数调整装置包括以下至少之一：流量调整单元、浓度调整单元和温度调整单元；对应地，所述参数调整装置用于调整每一喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个：刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度，进而实现调整所述刻蚀参数。在其他实施例中，当所述参数调整装置与所述至少两个喷嘴中的任意一个或多个喷嘴连接时，所述参数调整装置包括预设数量的调整单元，每一调整单元与一个喷嘴对应；其中，每一调整单元，用于对对应喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个进行调整：刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度，进而实现所述对应喷嘴向所述待刻蚀器件以特定喷淋参数喷淋刻蚀液。在其他实施例中，所述设备还包括：至少两个液体回收装置；其中，所述至少两个液体回收装置中的每一液体回收装置，用于回收所述湿法刻蚀的清洗过程中的清洗液，或者，用于回收所述湿法刻蚀的刻蚀过程中的刻蚀液。在其他实施例中，所述设备还包括：第一切换装置；所述第一切换装置与每一液体回收装置连接，用于在湿法刻蚀过程中，切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。在其他实施例中，所述设备还包括：基台和第二切换装置；所述基台，用于承载所述待刻蚀器件；所述第二切换装置与所述基台连接，用于调整所述待刻蚀器件的位置参数，从而实现切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。在其他实施例中，所述至少两个喷嘴所喷淋的宽度与所述待刻蚀器件的半径相同；对应地，所述基台在电机的驱动下绕所述基台的中心轴线转动，并带动所述待刻蚀器件进行旋转，进而实现所述至少两个喷嘴向所述待刻蚀器件的表面喷淋刻蚀液。在其他实施例中，所述设备还包括：泄露监测装置；所述泄露监测装置与每一液体回收装置连接，用于对每一液体回收装置的泄露情况进行监测。在其他实施例中，所述第二切换装置包括升降结构；所述基台包括用于固定所述待刻蚀器件的固定件；所述升降结构与所述固定件连接，用于调整所述固定件的位置参数，从而实现切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。第二方面，本申请实施例提供一种湿法刻蚀方法，所述方法包括：将待刻蚀器件放置于湿法刻蚀设备的基台之上；通过所述湿法刻蚀设备的喷淋装置上的至少两个喷嘴，向所述待刻蚀器件喷淋刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀，其中，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件。本申请实施例提供的湿法刻蚀设备及方法，其中，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。如此，由于所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件，当采用该湿法刻蚀设备对待刻蚀器件进行湿法刻蚀时，可以通过所述至少两个喷嘴，沿所述待刻蚀器件从中心至边缘的延伸方向，同时喷淋刻蚀液，进而实现对所述待刻蚀器件同时喷淋较大的面积，从而保证刻蚀的均匀性，降低所述待刻蚀器件的TTV，防止过刻蚀。附图说明在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。图1A为相关技术中的湿法刻蚀设备的结构示意图；图1B为采用相关技术中的一种湿法刻蚀设备所形成的刻蚀器件的表面结构示意图；图1C为图1B中的刻蚀器件的表面的刻蚀深度与刻蚀位置的对应关系示意图；图1D为采用相关技术中的另一种湿法刻蚀设备所形成的刻蚀器件的表面结构示意图；图1E为图1D中的刻蚀器件的表面的刻蚀深度与刻蚀位置的对应关系示意图；图1F为采用相关技术中的再一种湿法刻蚀设备所形成的刻蚀器件的表面结构示意图；图1G为图1F中的刻蚀器件的表面的刻蚀深度与刻蚀位置的对应关系示意图；图2为本申请实施例一所提供的湿法刻蚀设备的结构示意图；图3为本申请实施例二所提供的湿法刻蚀设备的结构示意图；图4A为本申请实施例所提供的一种参数调整装置的连接结构示意图；图4B为本申请实施例所提供的再一种参数调整装置的连接结构示意图；图5为本申请实施例三所提供的湿法刻蚀设备的结构示意图；图6为本申请实施例四所提供的湿法刻蚀设备的结构示意图；图7为本申请实施例所提供的第一切换装置的结构示意图；图8为本申请实施例五所提供的湿法刻蚀设备的结构示意图；图9为本申请实施例所提供的第二切换装置的结构示意图；图10为本申请实施例六所提供的湿法刻蚀设备的结构示意图；图11为本申请实施例所提供的湿法刻蚀方法的实现流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对专利技术的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般来说，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排他性的罗列，方法或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：参数调整装置；所述参数调整装置，与所述刻蚀液输入装置和/或所述至少两个喷嘴连接，用于调整所述设备的刻蚀参数。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述参数调整装置包括以下至少之一：流量调整单元、浓度调整单元和温度调整单元；对应地，所述参数调整装置用于调整每一喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个：刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度，进而实现调整所述刻蚀参数。4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，当所述参数调整装置与所述至少两个喷嘴中的任意一个或多个喷嘴连接时，所述参数调整装置包括预设数量的调整单元，每一调整单元与一个喷嘴对应；其中，每一调整单元，用于对对应喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个进行调整：刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度，进而实现所述对应喷嘴向所述待刻蚀器件以特定喷淋参数喷淋刻蚀液。5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：至少两个液体回收装置；其中，所述至少两个液体回收装置中的每一液体回收装置，用于回收所述湿法刻蚀的清洗过程中的清洗液，或者，用于回收所述湿法刻蚀的刻蚀过程中的刻蚀液。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾立勋，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42