半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置。半导体晶片修补方法包括：提供发光二极管模块，发光二极管模块包括电路基板以及多个发光单元；利用信号产生器以驱动多个所述发光单元；利用特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为损坏的发光单元；利用激光产生模块所产生的激光光源投向损坏的发光单元；利用晶片取放模块将损坏的发光单元取下而形成一空缺；利用晶片取放模块将良好的发光单元置入空缺内；将良好的发光单元电连接于电路基板。借此，以便于寻找出损坏的发光单元，且使得损坏的发光单元能够被良好的发光单元所取代而达到修补的效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置
本专利技术涉及一种晶片修补方法以及晶片修补装置，特别是涉及一种半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置。
技术介绍
目前，发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光元件的显示装置具有较佳的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管晶片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示装置，此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管晶片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，在现有技术中，当固定在电路基板上的发光二极管晶片损坏后，损坏的发光二极管晶片就不能再进行修补。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种半导体晶片修补方法，包括：首先，提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光群组，其中，所述发光群组包括多个发光单元，每一个发光单元包括一发光二极管晶片以及一设置在所述发光二极管晶片的底端与所述电路基板之间的导电物质；接着，利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；然后，利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；紧接着，利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；然后，利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下，以使得所述发光群组形成一空缺；接下来，利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述发光群组的所述空缺内，其中，所述良好的发光单元包括一良好的发光二极管晶片以及一设置在所述良好的发光二极管晶片的底端的新的导电物质；紧接着，利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的一接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述良好的发光单元的所述新的导电物质的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是，提供一种半导体晶片修补方法，包括：首先，提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元；接着，利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；然后，利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；紧接着，利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；然后，利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺；接下来，利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内；紧接着，将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板。优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的一导电物质之间的一接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。优选地，在将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板的步骤中，还进一步包括：利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述良好的发光单元的一新的导电物质的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是，提供一种半导体晶片修补装置，所述半导体晶片修补装置应用于一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元，其中，所述半导体晶片修补装置包括：一信号产生器、一特征量测模块、一激光产生模块以及一晶片取放模块。所述信号产生器电连接于所述电路基板，以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片修补方法，其特征在于，包括：提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光群组，其中，所述发光群组包括多个发光单元，每一个发光单元包括一发光二极管晶片以及一设置在所述发光二极管晶片的底端与所述电路基板之间的导电物质；利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下，以使得所述发光群组形成一空缺；利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述发光群组的所述空缺内，其中，所述良好的发光单元包括一良好的发光二极管晶片以及一设置在所述良好的发光二极管晶片的底端的新的导电物质；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。

【技术特征摘要】
2017.12.11 TW 1061433611.一种半导体晶片修补方法，其特征在于，包括：提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光群组，其中，所述发光群组包括多个发光单元，每一个发光单元包括一发光二极管晶片以及一设置在所述发光二极管晶片的底端与所述电路基板之间的导电物质；利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下，以使得所述发光群组形成一空缺；利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述发光群组的所述空缺内，其中，所述良好的发光单元包括一良好的发光二极管晶片以及一设置在所述良好的发光二极管晶片的底端的新的导电物质；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。2.根据权利要求1所述的半导体晶片修补方法，其特征在于，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的一接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力；其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件；其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶；其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。3.根据权利要求1所述的半导体晶片修补方法，其特征在于，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述良好的发光单元的所述新的导电物质的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质；其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件；其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶；其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。4.一种半导体晶片修补方法，其特征在于，包括：提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元；利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺；利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内；以及将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板。5.根据权利要求4所述的半导体晶片修补方法，其特征在于，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的一导电物质之间的一接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力；其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建硕，
申请(专利权)人：台湾爱司帝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71