The invention relates to a laser stripping structure, which comprises a sapphire substrate, a graphical structure, an epitaxy sheet, a substrate transfer buffer layer, a target substrate, a target substrate wetting layer, a target substrate graphical structure, a target substrate buffer layer, a laser stripping chamber, a main stripping laser, an auxiliary stripping laser, a sapphire substrate and a target substrate installed in a laser stripping chamber, and a sapphire substrate and a target substrate are installed in a laser stripping chamber. There are two lasers in the outer side of the laser stripping chamber. One is the main stripping laser, the other is the auxiliary stripping laser. When the main stripping laser irradiates into the position of the sapphire substrate patterned structure, the auxiliary stripping laser is used to strip the sapphire substrate. The device rotates around the laser stripping chamber. The advantages are ingenious design, convenient operation and compact structure, which can reduce the stress produced during laser peeling and avoid the deformation of the epitaxy sheet.
【技术实现步骤摘要】
一种激光剥离结构
本专利技术涉及激光剥离领域,具体涉及一种激光剥离结构。
技术介绍
氮化镓基材料及光电子器件材料,近年来尤其在光电子器件等领域用途越来越广泛,尤其目前的MicroLED,在照明、显示等领域具有更加重要的应用价值。在所有这些应用过程中,材料生长质量对于器件性能具有重要影响,如果要提高器件性能,同质外延是一个最重要的解决方案,但是同质外延厚膜衬底价格昂贵,使其无法获得全面应用,目前常用的图形化衬底成为了一种主要途径,图形化衬底对于释放材料外延生长过程中的应力,具有重要意义。但是在MOCVD等技术制备MicroLED等材料或在芯片器件加工过程中,需要进行激光剥离,剥离工艺对于剥离条件、光束质量以及剥离整个过程中,温度场的分布以及激光剥离光束的强度分布条件,都有重要要求。尤其对于图形化衬底,在剥离过程中,由于图形化结构区域与平面结构区域,材料结构不同,所需光束能量也不同,因此如何进行高质量激光剥离,具有重要意义。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供一种图形化外延结构激光剥离装置,可以实现图形化衬底剥离,提高剥离良率。一种激光剥离结构,它包括蓝宝石衬底、图形化结构、外延片、衬底转移缓冲层、目标基板、目标基板浸润层、目标基板图形化结构、目标基板缓冲层、激光剥离室、主剥离激光器、辅助剥离激光器,蓝宝石衬底上设计有目标基板,蓝宝石衬底和目标基板安装在激光剥离室内,蓝宝石衬底和目标基板之间从上往下依次设计有目标基板浸润层、目标基板缓冲层、衬底转移缓冲层、外延片,外延片与蓝宝石衬底之间安装有图形化结构,目标基板浸润层与目标基板之间安装有图形化结构,激光 ...
【技术保护点】
1.一种激光剥离结构,其特征在于,它包括蓝宝石衬底、图形化结构、外延片、衬底转移缓冲层、目标基板、目标基板浸润层、目标基板图形化结构、目标基板缓冲层、激光剥离室、主剥离激光器、辅助剥离激光器,蓝宝石衬底上设计有目标基板,蓝宝石衬底和目标基板安装在激光剥离室内,蓝宝石衬底和目标基板之间从上往下依次设计有目标基板浸润层、目标基板缓冲层、衬底转移缓冲层、外延片,外延片与蓝宝石衬底之间安装有图形化结构,目标基板浸润层与目标基板之间安装有图形化结构,激光剥离室外侧设计有两个激光器,一个为主剥离激光器,另一个为辅助剥离激光器,主剥离激光器所发射激光进入到蓝宝石衬底图形化结构位置处时,辅助剥离激光器所发射激光围绕主剥离激光器所发射激光主轴旋转运动。
【技术特征摘要】
1.一种激光剥离结构,其特征在于,它包括蓝宝石衬底、图形化结构、外延片、衬底转移缓冲层、目标基板、目标基板浸润层、目标基板图形化结构、目标基板缓冲层、激光剥离室、主剥离激光器、辅助剥离激光器,蓝宝石衬底上设计有目标基板,蓝宝石衬底和目标基板安装在激光剥离室内,蓝宝石衬底和目标基板之间从上往下依次设计有目标基板浸润层、目标基板缓冲层、衬底转移缓冲层、外延片,外延片与蓝宝石衬底之间安装有图形化结构,目标基板浸润层与目标基板之间安装有图形化结构,激光剥离室外侧设计有两个激光器,一个为主剥离激光器,另一个为辅助剥离激光器,主剥离激光器所发射激光进入到蓝宝石衬底图形化结构位置处时,辅助剥离激光器所发射激光围绕主剥离激光器所发射激光主轴旋转运动。2.根据权利要求1所述的一种激光剥离结构,其特征在于,所述的外延片为单层或多层,为激光器结构或LED,在生长完外延片后,在外延片上面生长衬底转移缓冲层,衬底转移缓冲层是金属金层或非金属Si层。3.根据权利要求1所述的一种激光剥离结构,其特征在于,所述的目标基板为Si衬底、GaN衬底或者GaAs衬底,目标基板上面带有图形化结构,并且有将图形化结构掩盖住的目标基板浸润层,目标基板浸润层是AlN、GaN或SiO2的单层或复合层,最后在浸润层上面生长目标基板缓冲层,目标基板缓...
【专利技术属性】
技术研发人员:何小峰,李成明,何秀平,陈建锋,
申请(专利权)人:南通中铁华宇电气有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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