一种半导体发光元件制造技术

一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与之电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。通过正面电极焊盘下方的金属块可有效防止打线时电介质层脱落。

A Semiconductor Light Emitting Element

A semiconductor light-emitting element includes a semiconductor light-emitting sequence, which consists of a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer and a light-emitting layer between the two from bottom to top; a dielectric layer below the first conductive type semiconductor layer, with a plurality of through openings in the dielectric layer; a metal layer below the dielectric layer, and a metal layer through electricity. Multiple through openings of the dielectric layer are electrically connected with the first conductive semiconductor layer; a front electrode with a pad is positioned on the upper part of the second conductive semiconductor layer and electrically connected with it; a reverse electrode is electrically connected with the metal layer; and its characteristics are as follows: a metal block, the dielectric layer under the front electrode pad is electrically connected with the semiconductor light emitting sequence. Among them, the Mohr hardness of the metal block is greater than or equal to 6, and a plurality of through openings do not overlap with the metal block in the thickness direction. The metal block under the front electrode pad can effectively prevent the dielectric layer from falling off during wire striking.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件
涉及一种半导体发光元件，具体的涉及具有打线电极的半导体发光元件。
技术介绍
发光二极管是一种将电能转换为光的半导体器件。与荧光灯和白炽灯泡相比较，LED具有诸如低功耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全以及环保的优点。LED越来越多地用作诸如各种灯和街灯的照明装置、液晶显示装置的照明单元以及其它室内和室外应用的光源。现有的发光二极管包括水平类型和垂直类型。垂直类型的发光二极管是通过半导体发光序列转移到其它的基板如硅、碳化硅或金属基板上，并移除原始外延生长衬底的工艺获得，相较于水平类型，可以有效改善支撑衬底带来的吸光、电流拥挤或散热性差的技术问题。衬底的转移一般是键合工艺，键合主要是金属-金属高温高压键合，即在半导体发光序列一侧与基板之间形成金属键合层。半导体序列另一侧提供出光侧，出光侧配置有一打线电极提供电流的注入或流出，半导体序列下方的基板提供电流的流出或流入，由此形成电流垂直经过半导体发光序列的发光二极管。为了提高出光效率，所述的金属键合层一侧往往会设计金属反射层或金属反射层与电介质层组合形成ODR反射结构，将金属键合层一侧的出光反射至出光侧，提高出光效率。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与第二类型导电性半导体层电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与第二类型导电性半导体层电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极包括焊盘以及延伸部分，延伸部分为条状，所述的金属块仅位于焊盘下方。3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极焊盘下方的金属块的面积至少为焊盘面积的1/2。4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极焊盘下方的金属块的面积至多与焊盘面积相等。5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极下方的金属块不与半导体发光序列之间发生扩散。6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属块的厚度为20nm-80nm。7.根据权利要求1所述的一种半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧文，潘冠甫，林仕尉，金超，杨毅，王笃祥，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35