具有鳍状结构的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及具有鳍状结构的半导体装置。一种半导体装置包含鳍状结构、第一导电线、第二导电线及第一导电轨。所述鳍状结构放置于衬底上。所述第一导电线经布置以包绕所述鳍状结构的第一部分。所述第二导电线附接于所述鳍状结构的第二部分上。所述第二部分不同于所述第一部分。所述第一导电轨放置于与所述衬底上的所述第一导电线及所述第二导电线相同的层中。所述第一导电轨附接于所述第一导电线的一端及所述第二导电线的一端上以将所述第一导电线与所述第二导电线电连接。

Semiconductor Device with Fin Structure

The embodiment of the present invention relates to a semiconductor device with a fin structure. A semiconductor device comprises a fin structure, a first conductive wire, a second conductive wire and a first conductive rail. The fin structure is placed on the substrate. The first conducting wire is arranged to wrap the first part of the fin-like structure. The second conductive wire is attached to the second part of the fin structure. The second part is different from the first part. The first conductive rail is placed in the same layer as the first conductive wire and the second conductive wire on the substrate. The first conductive rail is attached to one end of the first conductive wire and one end of the second conductive wire to connect the first conductive wire with the second conductive wire.

【技术实现步骤摘要】
具有鳍状结构的半导体装置
本专利技术实施例涉及具有鳍状结构的半导体装置。
技术介绍
在迅速发展的半导体制造工业中，互补式金属氧化物半导体(CMOS)FinFET装置越来越多地用于许多逻辑及其它应用中且集成到各种不同类型的半导体装置中。FinFET装置通常包含半导体鳍状物，所述半导体鳍状物具有形成晶体管的沟道及源极/漏极区域的高纵横比。栅极在半导体鳍状物的一部分的侧上方并沿着所述侧形成。对鳍状物的使用增加相同区的沟道及源极/漏极区域的表面积。FinFET装置中的鳍状物的经增加表面积产生消耗较少电力的较快、较可靠且较好受控制的半导体晶体管装置。然而，进一步减小CMOSFinFET的大小存在挑战。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，一种半导体装置包括：鳍状结构，其放置于衬底上；第一导电线，其包绕所述鳍状结构的第一部分；第二导电线，其附接于所述鳍状结构的第二部分上，所述第二部分不同于所述第一部分；及第一导电轨，其放置于与所述衬底上的所述第一导电线及所述第二导电线相同的层中，所述第一导电轨附接于所述第一导电线的一端及所述第二导电线的一端上以将所述第一导电线与所述第二导电线电连接。根据本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：鳍状结构，其放置于衬底上；第一导电线，其包绕所述鳍状结构的第一部分；第二导电线，其附接于所述鳍状结构的第二部分上，所述第二部分不同于所述第一部分；及第一导电轨，其放置于与所述衬底上的所述第一导电线及所述第二导电线相同的层中，所述第一导电轨附接于所述第一导电线的一端及所述第二导电线的一端上以将所述第一导电线与所述第二导电线电连接。

【技术特征摘要】
2017.11.24 US 62/590,469;2018.11.06 US 16/181,7271.一种半导体装置，其包括：鳍状结构，其放置于衬底上；第一导电线，其包绕所述鳍状...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈顺利，林仲德，庄惠中，苏品岱，杨荣展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71