The embodiments of the present disclosure belong to the field of advanced integrated circuit structure manufacturing, and in particular to the field of 10 Nano-node and smaller integrated circuit structure manufacturing and resulting structures. In an example, an integrated circuit structure includes: a fin comprising silicon having a lower fin portion and an upper fin portion. The gate electrode has a first side opposite to the second side above the upper fin portion of the fin. The first epitaxy source or drain structure is embedded in the fin on the first side of the gate electrode. The second epitaxy source or drain structure is embedded in the fin on the second side of the gate electrode. The first and second epitaxy source or drain structures include silicon and germanium and have matchstick contours.
【技术实现步骤摘要】
用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月30日提交的题为“ADVANCEDINTEGRATEDCIRCUITSTRUCTUREFABRICATION”的美国临时申请No.62/593,149的权益，由此通过引用方式将该美国临时申请的全部内容并入本文。
本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言，10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。
技术介绍
过去几十年来，集成电路中特征的缩放已经成为不断成长的半导体行业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征能够使半导体芯片的有限占地面积上的功能单元的密度增大。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入增大数量的存储器或逻辑器件，从而带来具有更大容量的产品的制造。然而，对越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件性能的必要性变得越来越重要。常规和当前已知制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，将来技术节点所需的功能部件的制造可能需要在当前制造工艺中引入新方法或整合新技术，或者用其取代当前制造工艺。附图说明...
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分；所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上的栅极电极，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧；在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中的第一外延源极或漏极结构；以及在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中的第二外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。
【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/593,149;2017.12.29 US 15/859,3251.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分；所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上的栅极电极，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧；在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中的第一外延源极或漏极结构；以及在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中的第二外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构具有较弱的刻面。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构均具有大约50纳米的高度并均具有30-35纳米的范围内的宽度。4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构从所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构的底部处的大约20％锗浓度梯度变化到所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构的顶部处的大约45％锗浓度。5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构被掺杂有硼原子。6.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：沿所述鳍状物处于所述栅极结构的所述第一侧的部分的侧壁的第一电介质间隔体；以及沿所述鳍状物处于所述栅极结构的所述第二侧的部分的侧壁的第二电介质间隔体。7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述第一电介质间隔体进一步沿所述第一外延源极或漏极结构的侧壁的下部部分，并且其中，所述第二电介质间隔体进一步沿所述第二外延源极或漏极结构的侧壁的下部部分。8.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：所述第一外延源极或漏极结构上的第一导电电极；以及所述第二外延源极或漏极结构上的第二导电电极。9.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：形成包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分；在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上形成栅极电极，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧；在所述栅极电极的所述第一侧和所述栅极电极的所述第二侧使所述鳍状物凹陷；在所述栅极电极的所述第一侧处的凹陷的鳍状物的第一部分上形成第一外延源极或漏极结构；以及在所述栅极电极的所述第二侧处的凹陷的鳍状物的第二部分上形成第二外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：沿所述鳍状物处于所述栅极结构的所述第一侧的部分的侧壁形成第一电介质间隔体；以及沿所述鳍状物处于所述栅极结构的所述第二侧的部分的侧壁形成第二电介质间隔体。11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述栅极电极的所述第一侧和所述栅极电极的所述第二侧使所述鳍状物凹陷包括使所述鳍状物凹陷到低于所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体的顶表面，其中，所述第一电介质间隔体进一步沿所述第一外延源极或漏极结构的侧壁的下部部分，并且其中，所述第二电介质间隔体进一步沿所述第二外延源极或漏极结构的侧壁的下部部分。12.根据权利要求9所述的方法，还包括：在...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·乔希，M·J·杰克逊，M·L·哈藤多夫，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。