MPS二极管器件及其制备方法技术

一种MPS二极管器件及其制备方法。所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述N‑补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。所述MPS二极管能够改善器件导通特性，促使器件的正向压降降低。

MPS Diode Device and Its Preparation Method

The invention relates to an MPS diode device and a preparation method thereof. The MPS diode device comprises a cathode electrode, a N+silicon carbide substrate, a N*epitaxy layer and an anode electrode from bottom to top; the N*epitaxy layer has at least two P+regions; and there is a N*compensation doping region between two adjacent P+regions, the depth of the N*compensation doping region is less than or equal to the depth of the P+region, and the doping concentration of the N*compensation doping region is higher than the N*epitaxy. The anode electrode comprises a first metal and a second metal, the surface of the P + region is ohmic contact with the first metal, and the surface of the N compensation doping region is Schottky contact with the second metal. The MPS diode can improve the conduction characteristics of the device and reduce the forward voltage drop of the device.

【技术实现步骤摘要】
MPS二极管器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种MPS二极管器件及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着电力电子系统的不断发展，对系统中的功率器件提出了更高的要求。功率二极管是电路系统的关键部件，广泛适用于高频逆变器、数码产品、发电机、电视机等民用产品以及卫星接收装置、导弹飞机等各种先进武器控制系统和仪器仪表设备的军用场合。为了满足低功耗、高频、高温、小型化等应用要求，对功率二极管的耐压、导通电阻、开启压降、反向恢复特性、高温特性的要求也越来越高。为了满足功率和快速开关器件应用的需要，MPS二极管器件的诞生解决了部分难题。MPS二极管器件将肖特基整流管和PiN整流管的优点集于一体，是一种混合型二极管(混合PiN和肖特基)，它不仅具有较高的反向阻断电压，而且它的通态压降很低，反向恢复时间很短，反向恢复峰值电流很小，具有软的反向恢复特性。更多有关现有MPS二极管器件相关内容，可以参考公开号为CN106298774A和CN105931950A的中国专利申请。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种MPS二极管器件及其制备方法，解决传统MPS二极管器件拥有较低正向导通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MPS二极管器件，所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；其特征在于：相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。

【技术特征摘要】
1.一种MPS二极管器件，所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N-外延层和阳极电极；所述N-外延层具有至少两个P+区；其特征在于：相邻两个所述P+区之间具有N-补偿掺杂区，所述补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N-补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N-外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N-补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。2.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述N-补偿掺杂区直接与相邻两个所述P+区的边缘相连。3.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述N-补偿掺杂区的掺杂浓度为1×1016atom/cm3～1×1017atom/cm3。4.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述P+区深度为0.8μm～2μm，所述N-补偿掺杂区的深度与所述P+区的深度差值为0μm～0.6μm。5.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述第一金属为镍，所述第二金属为钛。6.一种MPS二极管器件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓廷厚，李钊君，刘延聪，
申请(专利权)人：厦门芯光润泽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35