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一种MPS二极管器件及其制备方法。所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述N‑补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深...
该专利属于厦门芯光润泽科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯光润泽科技有限公司授权不得商用。

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