一种VDMOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层表面形成沟槽；在所述沟槽表面及所述第一外延层上表面形成第一隔离层；在所述沟槽表面的第一隔离层表面形成第一多晶硅层；在所述沟槽的底部的第一多晶硅层的表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层上形成间隔排列的多个第一导电类型的第二外延层及第二导电类型的第三外延层，以将所述沟槽填满，其中，所述第二外延层及所述第三外延层的底端均与所述第二隔离层连接，位于所述沟槽侧壁处的第一多晶硅层与一第二外延层连接。

A VDMOS Device and Its Fabrication Method

The invention relates to a VDMOS device and its fabrication method. The method includes: providing a first conductive type substrate, growing a first conductive type epitaxy layer on the surface of the substrate, forming a groove on the surface of the first epitaxy layer, forming a first isolation layer on the groove surface and on the surface of the first epitaxy layer, and forming a surface shape of the first isolation layer on the groove surface. A second isolation layer is formed on the surface of the first polycrystalline silicon layer at the bottom of the groove, and a second epitaxy layer of multiple first conductive types arranged at intervals and a third epitaxy layer of the second conductive type are formed on the second isolation layer to fill the groove, in which the bottom of the second epitaxy layer and the third epitaxy layer are all said as the second isolation layer. The first polycrystalline silicon layer at the side wall of the groove is connected with a second epitaxy layer.

【技术实现步骤摘要】
一种VDMOS器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体的说是一种VDMOS器件及其制作方法。
技术介绍
VDMOS(verticaldouble-deffusedmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，垂直双扩散场效应晶体管)器件的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。VDMOS器件的栅极控制器件沟道开启，栅极位置的氧化层耐高压能力差(通常<100V)，极易受到瞬态电压浪涌破坏，导致器件失效，因此在VDMOS器件的栅极通常需要增加静电防护结构来避免瞬态电压浪涌造成对器件的破坏，然而现有的静电防护结构造成器件面积的增加，进而增加了封装成本，不利于产品的可靠性。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种VOMOS器件的制作方法，能够在不增加面积的前提下提高器件的功率。第一方面，本专利技术实施例提供了一种VOMOS器件的制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层表面形成沟槽；在所述沟槽表面及所述第一外延层上表面形成第一隔离层；在所述沟槽表面的第一隔离层表面形成第一多晶硅层；在所述沟槽的底部的第一多晶硅层的表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层上形成间隔排列的多个第一导电类型的第二外延层及第二导电类型的第三外延层，以将所述沟槽填满，其中，所述第二外延层及所述第三外延层的底端均与所述第二隔离层连接，位于所述沟槽侧壁处的第一多晶硅层与一第二外延层连接；去除所述沟槽顶部的部分第二外延层及部分第三外延层，以暴露出位于所述...

【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层表面形成沟槽；在所述沟槽表面及所述第一外延层上表面形成第一隔离层；在所述沟槽表面的第一隔离层表面形成第一多晶硅层；在所述沟槽的底部的第一多晶硅层的表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层上形成间隔排列的多个第一导电类型的第二外延层及第二导电类型的第三外延层，以将所述沟槽填满，其中，所述第二外延层及所述第三外延层的底端均与所述第二隔离层连接，位于所述沟槽侧壁处的第一多晶硅层与一第二外延层连接；去除所述沟槽顶部的部分第二外延层及部分第三外延层，以暴露出位于所述沟槽侧壁的部分第一多晶硅层；在暴露出的部分第一多晶硅层表面形成侧墙；在所述第二外延层及第三外延层上生长所述第四外延层，以将所述沟槽填满，所述第四外延层的底面与所述第二外延层及第三外延层连接。2.如权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一外延层区域内形成第二导电类型的体区及在所述体区表面形成第一导电类型的源区；在所述第一隔离层、第四外延层及侧墙上表面形成介质层及在所述介质层上形成第一接触孔及第二接触孔；形成正面金属层及背面金属层，所述正面金属层通过第一接触孔与所述源区及体区连接以及通过第二接触孔与所述第四外延层连接，所述背面金属层与所述衬底连接。3.如权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述沟槽的侧壁及底部形成第一多晶硅层包括：在所述沟槽内填充多晶硅；干法刻蚀所述多晶硅，形成所述第一多晶硅层。4.如权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，去除所述沟槽顶部的部分第二外延层及部分第三外延层之后，在暴露出的部分第一多晶硅层表面形成侧墙之前，所述方法还包括：进行第一次退火工艺，退火温度为900℃，退火时间为30秒；进行第二次退火工艺，退火温度为980℃，退火时间为20秒；使用浓度为20％的氨水对所形成的结构进行清洗。5.如权利要求3所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述第二隔离层上间隔排列的多个第一导电类型的第二外延层及第二导电类型...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：福州臻美网络科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35