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本发明涉及一种VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层表面形成沟槽；在所述沟槽表面及所述第一外延层上表面形成第一隔离层；在所述沟槽表面的第一隔离层表面形成...
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