非易失性存储器件制造技术

一种三维(3D)非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开。堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域。连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，第一台阶部分接触第一单元区域并且具有在接近第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，第二台阶部分接触第二单元区域并且具有在接近第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，连接部分连接第一单元区域和第二单元区域。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件
本专利技术构思的实施方式涉及非易失性存储器件，更具体地，涉及包括垂直沟道结构的三维(3D)非易失性存储器件。
技术介绍
作为用于改善存储器件的集成密度和小型化的方法之一，已经开发了包括垂直沟道结构取代传统的二维(2D)结构的3D非易失性存储器件。由于3D非易失性存储器件的集成密度的提高和小型化，3D非易失性存储器件中包括的布线的连接由于布线的增加的长度而变得复杂。因此，需要一种3D非易失性存储器件，在其中布线布置在窄空间中的同时由于布线导致的RC延迟减小。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式能提供具有高集成度和减小的电阻-电容(RC)延迟的三维(3D)非易失性存储器件。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种3D非易失性存储器，包括：堆叠结构，其包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开，其中堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域，连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，第一台阶部分接触第一单元区域并且具有在接近第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)非易失性存储器，包括：堆叠结构，其包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并且所述多个导电层通过所述多个层间绝缘层彼此间隔开，其中所述堆叠结构包括第一单元区域、与所述第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在所述第一单元区域与所述第二单元区域之间的连接区域，以及所述连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，所述第一台阶部分接触所述第一单元区域并且具有在接近所述第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，所述第二台阶部分接触所述第二单元区域并且具有在接近所述第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，所述连接部分连接所述第一单元区域和所述第二单元区域。

【技术特征摘要】
2017.11.07 KR 10-2017-01476111.一种三维(3D)非易失性存储器，包括：堆叠结构，其包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并且所述多个导电层通过所述多个层间绝缘层彼此间隔开，其中所述堆叠结构包括第一单元区域、与所述第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在所述第一单元区域与所述第二单元区域之间的连接区域，以及所述连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，所述第一台阶部分接触所述第一单元区域并且具有在接近所述第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，所述第二台阶部分接触所述第二单元区域并且具有在接近所述第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，所述连接部分连接所述第一单元区域和所述第二单元区域。2.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述连接部分的一个侧壁与所述第一单元区域的一个侧壁和所述第二单元区域的一个侧壁对准。3.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述第一台阶部分的台阶中的至少一个在与所述第二台阶部分的台阶中的一个相同的水平处。4.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，还包括：下部区域，其设置在所述堆叠结构下方并且包括外围电路，其中所述多个导电层的设置在所述第一单元区域中的部分和所述多个导电层的设置在所述第二单元区域中的部分电连接到所述外围电路。5.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述多个导电层中的每个在所述第一单元区域、所述第一台阶部分、所述连接部分、所述第二台阶部分和所述第二单元区域之上延伸。6.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述第一台阶部分和所述第二台阶部分中的至少一个台阶具有在一个方向上拥有不同宽度的多个子台阶。7.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述连接部分在与从所述第一台阶部分到所述第二台阶部分的方向垂直的方向上的宽度随着离所述连接部分的下端的高度减小而增加。8.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述连接部分包括第三台阶部分和第四台阶部分，每个连接所述第一台阶部分和所述第二台阶部分，并且每个具有在所述第三台阶部分和所述第四台阶部分彼此面对的方向上下降的阶梯形状。9.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其中所述连接部分连接所述第一台阶部分的下部和所述第二台阶部分的下部，但不连接所述第一台阶部分的上部和所述第二台阶部分的上部。10.一种三维(3D)非易失性存储器，包括：下部区域，其包括下基板和在所述下基板上的外围电路；以及在所述下部区域上的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并且所述多个导电层通过所述多个层间绝缘层彼此间隔开，其中所述堆叠结构包括第一单元区域、与所述第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在所述第一单元区域与所述第二单元区域之间的连接区域，以及所述堆叠结构的所述连接区域包括台阶部分，所述台阶部分具有从所述连接区域的外围朝向其中心下降的阶梯形状。11.如权利要求10所述的三维非易失性存储器，其中所述台阶部分的台阶中的至少一些具有环矩形形...

【专利技术属性】
技术研发人员：金灿镐，任琫淳，郭判硕，全哄秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR