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非易失性存储器件制造技术
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下载非易失性存储器件的技术资料
文档序号:21118085
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一种三维(3D)非易失性存储器包括堆叠结构,该堆叠结构包括多个导电层,所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开。堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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