半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。

Manufacturing Method of Adhesive Tape and Semiconductor Device for Semiconductor Processing

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用粘着胶带以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体加工用粘着胶带，更详细而言，涉及一种使用以激光在晶圆内部设置改性区域、利用晶圆背面磨削时的应力等进行晶圆的单片化的方法来制造半导体装置时，为了暂时保持半导体晶圆或芯片而优选使用的粘着胶带及使用了该粘着胶带的半导体装置的制造方法。
技术介绍
随着各种电子设备的小型化、多功能化的进展，也同样地对装载于这些电子设备的半导体芯片要求小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常通过磨削半导体晶圆的背面来进行厚度的调整。此外，为了得到经薄型化的芯片，有时也利用被称为先切割法(DBG：DicingBeforeGrinding(先划片后减薄))的技术：使用切割刀片从晶圆的表面侧出发形成规定深度的沟后，从晶圆背面侧出发进行磨削，通过磨削将晶圆单片化，得到芯片。DBG中，由于能够同时进行晶圆的背面磨削及晶圆的单片化，因此能够效率良好地制造薄型芯片。以往，在进行半导体晶圆的背面磨削时或利用DBG制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路并保持半导体晶圆及半导体芯片，通常将称为背磨片的粘着胶带贴附于晶圆表面。作为在DBG中使用的背磨片，可使用具备基材及设置于基材的一侧的面的粘着剂层的粘着胶带。作为这样的粘着胶带的一个例子，专利文献1(WO2015/156389A1)中提出了一种背磨胶带，其包括具备基材膜及缓冲层的基材以及粘着剂层，该粘着剂层设置于基材膜的与设置有缓冲层的一侧的面为相反侧的面。在专利文献1中公开了基材膜的杨氏模量为600MPa以上，缓冲层由含氨基甲酸酯的固化物形成，缓冲层的tanδ的峰值温度为60℃以下。此外，专利文献2(日本特开2015-183008号公报)中提出了一种粘着片，其具有：刚性基材；设置于刚性基材的一面侧的缓冲层；以及设置于刚性基材的另一面侧的粘着剂层。在专利文献2中公开了刚性基材的杨氏模量为1000MPa以上，缓冲层由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成，缓冲层在-5～120℃下的动态黏弹性的tanδ的最大值为0.5以上。近年来，作为先切割法的变形例，提出了一种利用激光在晶圆内部设置改性区域、并利用晶圆背面磨削时的应力等进行晶圆的单片化的方法。以下，有时将该方法记载为LDBG(LaserDicingBeforeGrinding(研磨前激光切割))。在LDBG中，由于以改性区域为起点并沿结晶方向切断晶圆，因此与使用切割刀片的先切割法相比，能够减少崩边(chipping)的产生。其结果，能够得到抗折强度优异的芯片，而且能够有助于芯片的进一步薄型化。此外，与使用切割刀片在晶圆表面形成规定深度的沟的DBG相比，由于没有使用切割刀片将晶圆削掉的区域，即由于切口宽度(kerfwidth)极小，因此芯片的收率优异。然而，若在DBG和LDBG中使用专利文献1和专利文献2记载的粘着胶带，则在将芯片薄化至30μm以下时，存在产生芯片的缺损或破损(以下，有时记载为“芯片龟裂”)的情况。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2015/156389A1专利文献2：日本特开2015-183008号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为了解决上述技术问题，本申请的专利技术人进行了深入研究，结果发现，背面磨削时的应力(压缩应力及剪切应力)导致芯片产生振动或移动、芯片之间产生冲撞，由此导致芯片中产生龟裂。由于LDBG中的切口宽度较小，因此更显著地产生这样的芯片龟裂。本专利技术是鉴于上述的现有技术而进行其目的在于提供一种半导体加工用粘着胶带，即便将其使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂，而且在将粘着胶带贴附于具有凹凸的晶圆表面时，能够使晶圆表面的凹凸与粘着剂层充分地接触、且能够适当地发挥粘着剂层的粘合性。解决技术问题的技术手段以解决这样的技术问题为目的的本专利技术的主旨如下。[1]一种半导体加工用粘着胶带，其为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。[2]根据[1]所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层在30℃下的剪切储能模量为0.03MPa以上，在60℃下的剪切储能模量为0.20MPa以下。[3]根据[1]或[2]所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层的厚度为100μm以下。[4]一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：将上述[1]～[3]中任一项所述的半导体加工用粘着胶带贴附于半导体晶圆的表面的工序；从所述半导体晶圆的表面侧出发形成沟、或者从所述半导体晶圆的表面或背面出发在半导体晶圆内部形成改性区域的工序；将在表面贴附有所述粘着胶带且形成有所述沟或所述改性区域的半导体晶圆从背面侧出发进行磨削，以所述沟或所述改性区域为起点单片化为多个芯片的工序；以及将所述粘着胶带从所述多个芯片剥离的工序。专利技术效果本专利技术的半导体加工用粘着胶带不容易因背面磨削时的应力而变形，而且适当地缓和该应力。因此，能够抑制背面磨削时的芯片的振动或移动、防止芯片之间的冲撞。其结果，能够减少半导体芯片中的龟裂的产生。此外，在将粘着胶带贴附于具有凹凸的晶圆表面时，能够使晶圆表面的凹凸与粘着剂层充分地接触且适当地发挥粘着剂层的粘合性。附图说明图1为对实施例中评价芯片位移(dieshift)的大小的方法进行说明的示意图。具体实施方式以下，对本专利技术的半导体加工用粘着胶带具体地进行说明。首先，对在本说明书中使用的主要用语进行说明。在本说明书中，例如将“(甲基)丙烯酸酯”用作表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的用语，其他类似用语也相同。“半导体加工用”是指能够在半导体晶圆的搬运、背面磨削、切割及半导体芯片的拾取等各工序中使用。半导体晶圆的“表面”是指形成有电路的面，“背面”是指未形成电路的面。半导体晶圆的单片化是指将半导体晶圆按照电路分割而得到半导体芯片。DBG是指在晶圆的表面侧形成规定深度的沟后，从晶圆背面侧出发进行磨削，通过磨削将晶圆单片化的方法。形成于晶圆的表面侧的沟可通过刀片切割、激光切割、等离子切割等方法来形成。此外，LDBG为DBG的变形例，是指利用激光在晶圆内部设置改性区域、并利用晶圆背面磨削时的应力等进行晶圆的单片化的方法。接着，对本专利技术的半导体加工用粘着胶带的各构件的构成更详细地进行说明。第一实施方式中，着眼于包含基材、设置于基材的至少一面侧的缓冲层及设置于基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带中的缓冲层的特性而进行说明。第二实施方式中，着眼于包含基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带中的粘着剂层的特性而进行说明。另外，以下有时将本专利技术的半导体加工用粘着胶带简写作“粘着胶带”。第一实施方式本专利技术的第一实施方式的主旨如下。[1]一种半导体加工用粘着胶带，其为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材、设置于该基材的至少一面侧的缓冲层及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述缓冲层在23℃下的拉伸储能模量(E23)为100～2000MPa，所述缓冲层在60℃下的拉伸储能模量(E60)为20～1000MPa。[2]根据[1]所述的半导体加工用粘着胶带，其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工用粘着胶带，其为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.03 JP 2016-1959961.一种半导体加工用粘着胶带，其为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层在30℃下的剪切储能模量为0.03MPa以上，在60℃下的剪切储能模量为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：爱泽和人，前田淳，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP