【技术实现步骤摘要】
一种人构性高介电常数的介电薄膜
本技术涉及电子
，尤其涉及一种人构性高介电常数介电薄膜结构。
技术介绍
高介电常数介电薄膜因在晶体管、存储器、薄膜电容等超大规模集成电路基本单元电子器件中的广泛应用而被持续关注，这些器件要求介电薄膜不仅要拥有高的介电常数而且须有低的漏电流。新近发展起来的玻璃或柔性衬底上的巨微集成电子或光电子系统更要求高介电常数介电薄膜必须在低温下沉积而成。已见报道的研究(DavideCeresoliandDavidVanderbilt,StructuralanddielectricpropertiesofamorphousZrO2andHfO2,Phys.Rev.B74,125108–Published13September2006)或专利(如CN102208442A)，主要集中在硅酸铪、硅酸锆、二氧化铪、二氧化锆或它们与其他材料叠成的复合薄膜，但用这些薄膜作为MIM单板平面电容中的介质，其电容密度很难超过20fF/um2，而且薄膜的物理厚度都为几或十几纳米，这使得薄膜很容易被机械击穿和电击穿，从而影响器件的可靠性。
技术实现思路
针对以上现有介...
【技术保护点】
1.一种人构性高介电常数的介电薄膜，其特征在于，该介电薄膜包括多个周期性重叠的子薄膜单元，每个子薄膜单元由低漏电材料的子薄膜与高介电材料的子薄膜重叠构成，每一层子薄膜的厚度均小于1nm；所述介电薄膜的最底层和最上层均为低漏电材料的子薄膜；所述低漏电材料的子薄膜采用一种或者多种不同材料；所述高介电材料的子薄膜采用一种或者多种不同材料；当所述介电薄膜采用多种不同材料时，每个子薄膜单元中，各子薄膜由最底层按漏电流先递增再递减的顺序排列，或按禁带宽度先递减再递增的顺序排列。
【技术特征摘要】
1.一种人构性高介电常数的介电薄膜，其特征在于，该介电薄膜包括多个周期性重叠的子薄膜单元，每个子薄膜单元由低漏电材料的子薄膜与高介电材料的子薄膜重叠构成，每一层子薄膜的厚度均小于1nm；所述介电薄膜的最底层和最上层均为低漏电材料的子薄膜；所述低漏电材料的子薄膜采用一种或者多种不同材料；所述高介电材料的子薄膜采用一种或者多种不同材料；当所述介电薄膜采用多种不同材料时，每个子薄膜单元中，各子薄膜由最底层按漏电流先递增再递减的顺序排列，或按禁...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴春亚，以色列·米加，李昀儒，
申请(专利权)人：美国麦可松科技有限公司，
类型：新型
国别省市：美国,US
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