【技术实现步骤摘要】
具有管道加热功能的半导体制造装置
本技术涉及半导体制造装置，尤其是涉及一种具有加热前级管道的功能，以能够使前级管道内部堆积粉末的情形最小化的具有管道加热功能的半导体制造装置。
技术介绍
最近，包括反应炉的半导体制造装置中使用诸如退火工艺、扩散工艺、氧化工艺以及化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)工艺的半导体制造工艺。图1是示出现有技术的半导体制造装置的一例的概略结构图，图2是示出现有技术的半导体制造装置的前级管道和加热套的连接关系的概略示意图。图1所示的半导体制造装置100是包括垂直型反应炉101的半导体制造装置的代表性的例，在反应炉101内设置有用于对晶片进行工艺处理的工艺腔室102，多个晶片W在垂直地配置于管道103内的状态下移送到工艺腔室102，并执行以与外部隔离的状态在晶片上形成规定的薄膜的工艺处理。根据反应条件和处理气体的种类，作为反应气体使用多样的气体，并由这样的反应气体的化学反应来生成多样的副产物。尤其是，当在保持650℃以上的高温及10-2托(torr)程度的压力的工艺腔室102内，使氨气NH3和二氯甲硅烷(SiH...
【技术保护点】
1.一种具有管道加热功能的半导体制造装置，包括进行半导体加工工艺的工艺腔室、使所述工艺腔室保持真空状态的真空泵以及由不锈钢管构成且用于连接所述工艺腔室和所述真空泵之间的前级管道，其特征在于，包括：热交换器，设置于所述工艺腔室及所述真空泵的外侧，用于产生加热所述前级管道所需的热量；以及热交换管，与所述热交换器相连接，以盘绕于所述前级管道的外周面全体的方式设置，利用所述热交换管中流动的流体向所述前级管道均匀地供应所述热量。
【技术特征摘要】
1.一种具有管道加热功能的半导体制造装置，包括进行半导体加工工艺的工艺腔室、使所述工艺腔室保持真空状态的真空泵以及由不锈钢管构成且用于连接所述工艺腔室和所述真空泵之间的前级管道，其特征在于，包括：热交换器，设置于所述工艺腔室及所述真空泵的外侧，用于产生加热所述前级管道所需的热量；以及热交换管，与所述热交换器相连接，以盘绕于所述前级管道的外周面全体的方式设置，利用所述热交换管中流动的流体向所述前级管道均匀地供应所述热量。2.根据权利要求1所述的具有管道加热功能的半导体制造装置，其特征在于，还包括：保护套，以包覆所述热交换管的方式设置于所述热交换管的外部，所述保护套由隔热材料构成，以防止所述热量向所述保护套的外部泄漏。3.根据权利要求2所述的具有管道加热功能的半导体制造装置，其特征在于，所述热交换管盘绕于所述前级管道而形成的截面呈圆形。4.根据权利要求3所述的具有管道加热功能的半导体制造装置，其特征在于，所述热交换管由直管和螺旋管构成，所述螺旋管的两端通过所述直管与所述热交换器相连接，所述直管的外表面包覆有隔热层，所述螺旋管盘绕于所述前级管道的外周面。5.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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