包括绝热壁的半导体封装制造技术

包括绝热壁的半导体封装。一种半导体封装包括并排设置在封装基板的表面上的第一半导体芯片和第二半导体芯片。绝热壁被设置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。绝热壁将第一半导体芯片与第二半导体芯片热隔离。

Semiconductor Packaging Including Adiabatic Wall

【技术实现步骤摘要】
包括绝热壁的半导体封装
本公开涉及半导体封装技术，更具体地讲，涉及包括将一个半导体芯片与另一半导体芯片热隔离的绝热壁的半导体封装。
技术介绍
可在单个半导体封装中采用各种类型的半导体芯片。单个半导体封装中所采用的半导体芯片可具有不同的功能。即，单个半导体封装中所采用的半导体芯片可能不同地消耗电力。因此，由单个半导体封装中的半导体芯片产生的热的量也可能彼此不同。与消耗相对低的电力的低功率半导体芯片相比，消耗相对高的电力的高功率半导体芯片可产生相对大量的热。由高功率半导体芯片产生的热可被传导到与高功率半导体芯片相邻的低功率半导体芯片。在这种情况下，低功率半导体芯片的性能可能由于高功率半导体芯片所产生的热而下降。因此，在至少两种不同类型的半导体芯片被嵌入在单个半导体封装中的情况下，可能有必要开发用于控制或处理单个半导体封装中的热分布和热传导的技术。
技术实现思路
根据实施方式，提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：第一封装基板；内置封装，其被设置在第一封装基板上并被配置为包括第一半导体芯片以及用于将第一半导体芯片热隔离的绝热壁；以及第二半导体芯片，其被设置在第一封装基板上以与内置封装间隔开。根据另一实施方式，提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，它们被并排设置在封装基板的表面上以彼此间隔开；第一模制层，其覆盖第一半导体芯片；第二模制层，其覆盖第二半导体芯片；以及绝热壁，其被设置在第一模制层与第二模制层之间以将第一半导体芯片热隔离。附图说明鉴于附图和所附详细描述，本公开的各种实施方式将变得更显而易见，附图中：图1是示出根据实施方式的半导体封装的平面图；图2是沿着图1的线A-A’截取的横截面图；图3是沿着图1的线B-B’截取的横截面图；图4是示出嵌入在图1的半导体封装中的内置封装的横截面图；图5是示出没有绝热壁的一般半导体封装作为比较例的平面图；图6是示出采用包括根据实施方式的半导体封装的存储卡的电子系统的框图；以及图7是示出包括根据实施方式的半导体封装的另一电子系统的框图。具体实施方式本文所使用的术语可对应于考虑其在实施方式中的功能而选择的词语，术语的含义可被解释为根据实施方式所属领域的普通技术人员而不同。如果详细定义，则可根据定义来解释术语。除非另外定义，否则本文所使用的术语(包括技术术语和科学术语)可具有实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将理解，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分，而非用于仅限定元件本身或者意指特定顺序。还将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“上方”、“下面”、“下方”或“外侧”时，该元件或层可与另一元件或层直接接触，或者可存在中间元件或层。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应该以类似的方式解释(例如，“在...之间”与“直接在...之间”或者“相邻”与“直接相邻”之间)。诸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“上面”、“上”、“顶部”、“底部”等的空间相对术语可用于描述元件和/或特征与另一元件和/或特征的关系(例如，如图中所示)。将理解，除了附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用和/或操作中的不同取向。例如，当附图中的装置翻转时，被描述为在其它元件或特征下面和/或之下的元件将被取向为在其它元件或特征上面。装置可按照其它方式取向(旋转90度或处于其它取向)并且相应地解释本文中所使用的空间相对描述符。半导体封装可包括诸如半导体芯片或半导体晶片的电子器件。半导体芯片或半导体晶片可通过使用划片工艺将诸如晶圆的半导体基板分离成多片来获得。半导体芯片可对应于存储器芯片、逻辑芯片(包括专用集成电路(ASIC)芯片)或系统芯片(SoC)。存储器芯片可包括集成在半导体基板上的动态随机存取存储器(DRAM)电路、静态随机存取存储器(SRAM)电路、NAND型闪存电路、NOR型闪存电路、磁随机存取存储器(MRAM)电路、电阻式随机存取存储器(ReRAM)电路、铁电随机存取存储器(FeRAM)电路或相变随机存取存储器(PcRAM)电路。逻辑芯片可包括集成在半导体基板上的逻辑电路。半导体封装可用在诸如移动电话的通信系统、与生物技术或保健关联的电子系统或可穿戴电子系统中。以下将参照附图描述本公开的各种实施方式。贯穿说明书，相同的标号表示相同的元件。即使标号未参照一幅图提及或描述，该标号也可参照另一幅图提及或描述。另外，即使标号未在一幅图中示出，其也可参照另一幅图提及或描述。图1示出根据实施方式的半导体封装10的平面图。图2是沿着图1的线A-A’截取的横截面图，图3是沿着图1的线B-B’截取的横截面图。图4示出嵌入在图1的半导体封装10中的内置封装100的横截面图。图5是示出没有绝热壁的一般半导体封装10R作为比较例的平面图。参照图1，半导体封装10可被配置为具有多芯片封装(MCP)形状或球栅阵列固态驱动器(BGASSD)封装形状。半导体封装10可被配置为包括多个半导体芯片110、200、300和400。半导体芯片110、200、300和400可具有不同的功能。如果半导体封装10被配置为具有BGASSD封装形状，则第一半导体芯片110可对应于控制器芯片。在这种情况下，第二半导体芯片200可包括缓冲存储器，第三半导体芯片300可包括构成SSD的非易失性存储器。与控制器芯片对应的第一半导体芯片110可被配置为控制具有BGASSD封装形状的半导体封装10的总体操作。控制器芯片(即，第一半导体芯片110)可以是系统芯片。控制器芯片110可包括控制缓冲存储器(即，第二半导体芯片200)和非易失性存储器(即，第三半导体芯片300)的操作的逻辑器件。第四半导体芯片400可包括电源管理集成电路(PMIC)器件。第二半导体芯片200可包括充当缓冲存储器的易失性存储器(例如，DRAM器件)。缓冲存储器可暂时地存储要写到非易失性存储器(即，第三半导体芯片300)中的数据。即，数据可基本上存储在非易失性存储器(即，第三半导体芯片300)中。非易失性存储器(即，第三半导体芯片300)可使用NAND型存储器件来实现。第三半导体芯片300可包括多个层叠物(例如，第一层叠物301和第二层叠物302)以增加第三半导体芯片300的数据存储容量。第一至第四半导体芯片110、200、300和400可被安装在第一封装基板500上。第一至第四半导体芯片110、200、300和400可被设置在第一封装基板500的顶表面501上。第一至第四半导体芯片110、200、300和400可被设置在第一封装基板500的顶表面501上，其中第一至第四半导体芯片110、200、300和400可彼此间隔开。此外，第二至第四半导体芯片200、300和400可与内置封装100间隔开。此外，至少第一半导体芯片110和第二半导体芯片200可并排设置在封装基板500的表面上。充当控制器芯片的第一半导体芯片110可利用相对高的驱动电压来操作，并且在操作期间可产生相对大量的热。即，第一半导体芯片110可以是高功率半导体芯片。相比之下，第二半导体芯片200或第三半导体芯片300可以是产生相对少量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：第一封装基板；内置封装，该内置封装被设置在所述第一封装基板上并被配置为包括第一半导体芯片以及用于将所述第一半导体芯片热隔离的绝热壁；以及第二半导体芯片，该第二半导体芯片被设置在所述第一封装基板上以与所述内置封装间隔开。

【技术特征摘要】
2017.10.27 KR 10-2017-01413411.一种半导体封装，该半导体封装包括：第一封装基板；内置封装，该内置封装被设置在所述第一封装基板上并被配置为包括第一半导体芯片以及用于将所述第一半导体芯片热隔离的绝热壁；以及第二半导体芯片，该第二半导体芯片被设置在所述第一封装基板上以与所述内置封装间隔开。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述内置封装还包括填充所述第一半导体芯片与所述绝热壁之间的间隙的第一模制层。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述内置封装还包括设置在所述第一封装基板上方的第二封装基板，并且其中，所述第一半导体芯片被安装在所述第二封装基板上并由所述第一模制层覆盖。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述绝热壁包括热导率低于所述第一模制层的热导率的绝热材料。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述绝热壁具有0.4W/mK或更小的热导率。6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述内置封装还包括穿透所述第一模制层以与所述第一半导体芯片接触的热导体。7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述热导体包括热导率高于所述第一模制层的热导率的材料。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述热导体包括硅虚拟芯片。9.根据权利要求2所述的半导体封装，该半导体封装还包括第二模制层，该第二模制层覆盖所述第一封装基板和所述第二半导体芯片并使所述第一模制层的顶表面暴露。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述绝热壁延伸，使得所述绝热壁的上端在所述第二模制层的顶表面处暴露。11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述绝热壁被设...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜敃圭，孙在现，申志爀，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR