一种过压保护芯片的版图结构制造技术

本发明专利技术公开了一种过压保护芯片的版图结构，包括第一版图区域，第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域。本发明专利技术的一种过压保护芯片的版图结构在充分考虑模块内，模块间和通道间的匹配设计和相互干扰，数字电路模块对模拟电路模块的影响以及温度分布对各模块影响的前提下，通过对芯片版图的合理布局和各版图区的合理设计，更好的实现了过压保护芯片的电路功能，使得设计得到的芯片功耗低，内阻小，产生的热量少，从而有效地节省了电路板的空间和成本，延长了系统的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种过压保护芯片的版图结构
本专利技术属于芯片版图布局
，具体涉及一种过压保护芯片的版图结构。
技术介绍
随着科技的进步，消费类电子的普及，过压保护(OVP)芯片用于保护后续电路免受瞬间高压的破坏，对于延长设备的使用寿命具有积极作用。因此本专利技术专利旨在兼顾OVP性能的前提下，合理分配信号通路，优化版图布局，使得版图布局具有最小面积，为整个系统节约了成本和空间。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种过压保护芯片的版图结构，在兼顾OVP性能的前提下，合理分配信号通路，优化版图布局，降低芯片成本。为实现上述目的，本专利技术提供的版图结构，其特征在于，包括第一版图区域,第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域，所述第一版图区域对应模块(1)位于版图的下半部分，所述第二版图区域对应模块(2)位于版图的左侧中间部分，所述第三版图区域对应模块(3)位于版图的中间部分，所述第四版图区域对应模块(4)位于版图的右上部分，所述第五版图区域对应模块(5)位于版图的上方中间部分，所述第六版图区域对应模块(6)位于版图的左上部分。所述第一版图区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过压保护芯片的版图结构，其特征在于，包括第一版图区域,第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域，所述第一版图区域位于版图的下半部分，所述第二版图区域位于版图的左侧中间部分，所述第三版图区域位于版图的中间部分，所述第四版图区域位于版图的右上部分，所述第五版图区域位于版图的上方中间部分，所述第六版图区域位于版图的左上部分。

【技术特征摘要】
2017.10.26 CN 201711017408X1.一种过压保护芯片的版图结构，其特征在于，包括第一版图区域,第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域，所述第一版图区域位于版图的下半部分，所述第二版图区域位于版图的左侧中间部分，所述第三版图区域位于版图的中间部分，所述第四版图区域位于版图的右上部分，所述第五版图区域位于版图的上方中间部分，所述第六版图区域位于版图的左上部分。2.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第一版图区域为POWERMOS版图区，用于产生输出信号。3.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第二版图...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾怡峰，杨雪，连颖，田浩，吴国臣，
申请(专利权)人：上海长园维安电子线路保护有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31