【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD防护的肖特基钳位SCR器件
本专利技术属于电子科学与
，主要用于静电泄放(ElectroStaticDischarge，简称为ESD)防护技术。准确的说是一种通过肖特基二极管钳位的方法，实现SCR器件维持电压的提升以避免ESD引起latch-up的技术。
技术介绍
在低压中压，高压ESD的防护低频应用中，ESD器件的闩锁效应(latch-upeffect)一直以来是制约器件性能的重要问题。对于ESD器件本身，提升维持电压Vh则是避免闩锁效应最可靠的方法。在这个背景下，众多高Vh的ESD防护技术被提出。这类技术主要分为两类：1)寄生晶体管的退化；2)器件的堆叠。对于超高压应用，器件堆叠技术是一种很好的方案，它不仅能实现很高的Vh，还能够保证总体结构的ESD电流鲁棒性。但这种技术的ESD性能强烈依赖堆叠单元的性能。因此，单个单元的性能设计显的十分重要。对于单元器件提升Vh，本专利技术提出一种简单有效的方法。一方面，该方案不仅在提升Vh的同时不改变触发电压Vt1，另一方面，能够抑制器件两端的电流集中效应从而防止强kirk效应引起的电阻增加。此外，本专...
【技术保护点】
1.一种用于ESD防护的肖特基钳位SCR器件，其特征在于，包括：P型衬底(01)、P型衬底(01)上方的p阱区(02)和n阱区(03)，且p阱区(02)和n阱区(03)相切，在p阱区(02)内部的第一n+注入层(21)与第一p+注入层(11)，在n阱区(03)内部的第三n+注入层(23)及第二p+注入层(12)，跨接在n阱区(03)和p阱区(02)之间的用于降低击穿电压的第二n+注入层(22)，第一金属孔(31)与第三n+注入层(23)相接触，第二金属孔(32)与第二p+注入层(12)相接触，第三金属孔(33)与第一p+注入层(11)相接触，第四金属孔(34)与第一n+注入...
【技术特征摘要】
1.一种用于ESD防护的肖特基钳位SCR器件，其特征在于，包括：P型衬底(01)、P型衬底(01)上方的p阱区(02)和n阱区(03)，且p阱区(02)和n阱区(03)相切，在p阱区(02)内部的第一n+注入层(21)与第一p+注入层(11)，在n阱区(03)内部的第三n+注入层(23)及第二p+注入层(12)，跨接在n阱区(03)和p阱区(02)之间的用于降低击穿电压的第二n+注入层(22)，第一金属孔(31)与第三n+注入层(23)相接触，第二金属孔(32)与第二p+注入层(12)相接触，第三金属孔(33)与第一p+注入层(11)相接触，第四金属孔(34)与第一n+注入层(21)相接触，第五金属孔(35)直接与p阱区(02)相接形成肖特基接触，构成P型肖特基二极管(103)。2.根据权利要求1所述的一种用于ESD防护的肖特基钳位SCR器件，其特征在于：在第二金属孔(32)的左侧n阱区上方设有...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，齐钊，梁龙飞，何林蓉，张发备，童成伟，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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