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本发明提供一种用于ESD防护的肖特基钳位SCR器件，包括：P型衬底、p阱区和n阱区，在p阱区内部第一n+注入层与第一p+注入层，在n阱区内部的第三n+注入层及第二p+注入层，跨接在n阱区和p阱区之间的用于降低击穿电压的第二n+注入层，第一金...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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