【技术实现步骤摘要】
具有重新对准的特征布局的鳍基二极管结构
本专利技术是有关于半导体装置制造与集成电路，且更特别的是，有关于二极管结构与用于制造二极管结构的方法。
技术介绍
例如二极管的被动装置常被包括在集成电路结构中，且常在例如鳍片型场效应晶体管(FinFET)的其他电路结构组件的制造期间制造。随着集成电路结构大小及特征持续缩减，对于节省晶圆空间且在较小的晶圆空间内包括更多个装置来说，二极管结构的新布局设计变得很重要。
技术实现思路
在本专利技术的一具体实施例中，一种装置结构，其包括第一栅极结构，与该第一栅极结构平行地配置的第二栅极结构，以及各自从衬底的顶面垂直地伸出的第一鳍片及第二鳍片。该第一及第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。该装置结构进一步包括与该第一鳍片及该第二鳍片耦合的接触结构。该接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。在本专利技术的一具体实施例中，一种方法，其包括：形成各自从衬底的顶面垂直地伸出的第一及第二鳍片，沉积栅极材料层于该衬底上方，图案化该栅极材料层以形成第一栅极结构及与该第一栅极结构平行地配置的第二栅极结构，且在图案化该栅极材料层后，...
【技术保护点】
1.一种使用衬底形成的装置结构，该装置结构包含：第一栅极结构；第二栅极结构，与该第一栅极结构平行地配置；第一鳍片与第二鳍片，各自从该衬底的顶面垂直地伸出，该第一鳍片及该第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；以及第一接触结构，与该第一鳍片及该第二鳍片耦合，其中，该第一接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。
【技术特征摘要】
2017.10.26 US 15/794,6881.一种使用衬底形成的装置结构，该装置结构包含：第一栅极结构；第二栅极结构，与该第一栅极结构平行地配置；第一鳍片与第二鳍片，各自从该衬底的顶面垂直地伸出，该第一鳍片及该第二鳍片配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；以及第一接触结构，与该第一鳍片及该第二鳍片耦合，其中，该第一接触结构横向配置在该第一栅极结构与该第二栅极结构之间。2.如权利要求1所述的装置结构，进一步包含：浅沟槽隔离区，包围该第一鳍片及该第二鳍片，其中，该第一栅极结构及该第二栅极结构配置在该浅沟槽隔离区的该顶面上。3.如权利要求2所述的装置结构，其中，该第一鳍片及该第二鳍片相对于该浅沟槽隔离区的该顶面具有第一高度，该第一栅极结构及该第二栅极结构相对于该浅沟槽隔离区的该顶面具有第二高度，且该第二高度大于该第一高度。4.如权利要求3所述的装置结构，其中，该第一接触结构在该浅沟槽隔离区的该顶面之上隔开。5.如权利要求1项所述的装置结构，其中，该第一接触结构的第一部分与该第一栅极结构接触，以及该第一接触结构的第二部分与该第二栅极结构接触。6.如权利要求5所述的装置结构，进一步包含：共形介电层，在该第一栅极结构上及在该第二栅极结构上，其中，该第一接触结构的该第一部分与该共形介电层在该第一栅极结构上的第一区段直接接触，以及该第一接触结构的该第二部分与该共形介电层在该第二栅极结构上的第二区段直接接触。7.如权利要求1所述的装置结构，其中，该第一鳍片与该第二鳍片具有导电类型，且进一步包含：井，在该衬底中低于该第一鳍片及该第二鳍片，该井具有该第一鳍片及该第二鳍片的该导电类型。8.如权利要求1所述的装置结构，其中，该第一鳍片及该第二鳍片各具有属于第一导电类型的第一区段，且进一步包含：井，在该衬底中低于该第一鳍片及该第二鳍片，该井具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。9.如权利要求8所述的装置结构，其中，该第一鳍片具有属于该第二导电类型的第二区段，该第一鳍片的该第二区段垂直配置在该第一鳍片的该第一区段与该井之间，该第二鳍片具有属于该第二导电类型的第二区段，该第二鳍片的该第二区段垂直配置在该第二鳍片的该第一区段与该第二鳍片的该第二区段之间，该第一鳍片的该第一区段与该第一鳍片的该第二区段参与二极管结的形成，且该第二鳍片的该第一区段与该第二鳍片的该第二区段进一步参与该二极管结的形成。10.如权利要求9所述的装置结构，进一步包含：浅沟槽隔离区，包围该第一鳍片及该第二鳍片，其中，该浅沟槽隔离区具有顶面，且该第一鳍片的该第二区段与该第二鳍片的该第二区段配置在该浅沟槽隔离区的该顶面下面。11.如权利要求10所述的装置结构，其中，该第一栅极结构与该第二栅极结构位在该浅沟槽隔离区的该顶面上。12.如权利要求9所述的装置结构，进...
【专利技术属性】
技术研发人员：于洪，艾廉·路易艘，索夫克·米拉，蔡宗哲，李由，罗伯特·J·葛乐尔二世，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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