【技术实现步骤摘要】
电容器阵列及半导体器件
本技术涉及半导体
，特别涉及一种电容器阵列及一种半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，例如，希望在有限的面积内所形成的电容器可以具备更大的电容。一种解决方案为，通过增加电容器中的下电极的高度，以增大下电极和电容介质层之间的接触面积，从而使所形成的电容器具有较大的电容。然而，随着下电极高度的增加，使得下电极的高宽比也相应的增大，进而极易导致下电极弯曲变形或倒塌的问题，对阵列区域可靠性造成影响。目前通过添加电极的横向连续支撑层来增加稳定性，但这样的连续支撑层会形成不平整的电容阵列边界，后续沉积填充材料时容易在电容阵列边界处形成裂缝，造成插塞与电容阵列边界短路。因此，对电容阵列边界进行保护实属必要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电容器阵列及半导体器件，避免在沉积填充材料时电容阵列边界处形成裂缝而造成的短路问题，进而提高电容器的可靠性。为解决上述技术问题，本技术提供一种电容器阵列，包括：一基底，所述基底上具有一用于形成电容器的器件区；一下电极，设置在所述基底器件区上，且所述下电极具有...
【技术保护点】
1.一种电容器阵列，其特征在于，包括：一基底，所述基底上具有一用于形成电容器的器件区；一下电极，设置在所述基底的器件区上，且所述下电极具有多个筒状结构；一支撑层，所述支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁并沿着平行于基底表面的方向延伸；一电容介质层，所述电容介质层设置于所述下电极的内外表面以及所述支撑层的表面；一上电极，所述上电极设置于所述电容介质层的内外表面，其中在器件区边缘位置上，所述上电极对应所述支撑层的部分以远离所述下电极的方向凸出，使器件区边缘位置上的电容器的外侧面具有凹凸侧面结构；一氧化层，设置于所述上电极的外表面，所述氧化层填充所述电容器的所述凹凸侧面结构中的空隙...
【技术特征摘要】
1.一种电容器阵列，其特征在于，包括：一基底，所述基底上具有一用于形成电容器的器件区；一下电极，设置在所述基底的器件区上，且所述下电极具有多个筒状结构；一支撑层，所述支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁并沿着平行于基底表面的方向延伸；一电容介质层，所述电容介质层设置于所述下电极的内外表面以及所述支撑层的表面；一上电极，所述上电极设置于所述电容介质层的内外表面，其中在器件区边缘位置上，所述上电极对应所述支撑层的部分以远离所述下电极的方向凸出，使器件区边缘位置上的电容器的外侧面具有凹凸侧面结构；一氧化层，设置于所述上电极的外表面，所述氧化层填充所述电容器的所述凹凸侧面结构中的空隙，所述氧化层的侧面、所述上电极的截面及所述电容介质层的截面在一平面内，在所述器件区边缘位置构成一平坦的电容阵列边界；以及，一保护层，所述保护层设置于所述电容阵列边界。2.如权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于，所述保护层还覆盖于所述氧化层的上表面及未被所述氧化层覆盖的所述基底。3.如权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于，所述基底上还具有位于所述器件区外围的外围区，所述保护层位于所述器件区中。4.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴双双，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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