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本实用新型提供了一种电容器阵列及半导体器件，在基底器件区上形成下电极、支撑层及上电极后，通过在上电极上形成一氧化层，以在器件区边缘形成一平坦的电容阵列边界，并在电容阵列边界增加保护层，有效规避了后续沉积填充材料时由于电容阵列边界不平整而形成...
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