电驱动系统技术方案

本发明专利技术涉及一种包括多个驱动装置的电驱动系统，该电驱动系统用于机动车、特别是用于纯电动车辆，本发明专利技术还涉及一种用于运行驱动系统的方法。

【技术实现步骤摘要】
电驱动系统
本专利技术涉及一种用于机动车的包括多个驱动装置的电驱动系统，所述电驱动系统特别是用于纯电动车辆，本专利技术还涉及一种用于运行所述驱动系统的方法。
技术介绍
在以纯电的方式驱动的机动车中，如纯电动车辆(BEV)或燃料电池车辆中通常安装多个驱动装置在不同的车桥上。在每个驱动装置中都使用相同的带有Si(硅)-功率半导体器件的功率电子装置。使用基于碳化硅(SiC)的半导体构件代替基于硅的半导体构件，可以决定性地提高功率电子装置的组件的效率。文献US2015/246614A1公开了一种安装在行车道中的感应式的能量传输系统。在为感应线圈供电的单元中，可以使用碳化硅-半导体构件，用于接通流经感应线圈的电流。从文献DE102016207254A1中已知以一种用于为电机提供相电流的逆变器以及一种用于具有这种逆变器的混合动力车辆/电动车辆的电驱动装置。逆变器包括实施为碳化硅-半导体开关的传导开关，该传导开关在控制信号停止的情况下自动地关闭。传导开关可以是MOSFET或IGBT。从文献WO2016/002057A1中已知一种碳化硅-半导体构件，该碳化硅-半导体构件可以应用在用于电动车的功率模块、逆变器和三相电机系统中。
技术实现思路
现在的车辆还具有相对小的续航里程，以及用于HV电池(高压电池)的成本相对较高。因此本专利技术的目的是，提供一种驱动系统，该驱动系统可以在无功率损失的情况下以较小的电池容量实现规定的续航里程。上述目的根据本专利技术通过具有权利要求1的装置和具有权利要求9的特征的方法。所述装置和方法的设计方案由从属权利要求中得到。在具有驱动装置的车辆中通过基于碳化硅的牵引用逆变器(SiC逆变器)可以在WLTP周期(WorldwideHarmonizedLightDutyVehiclesTestProcedure(全球统一轻型车辆测试程序))中或在NEFZ(NeuerFahrzyklusRichtlinie70/220/EWG(根据规则70/220/EWG的新的欧洲行驶周期))中实现达到约为0.5kWh/100km的节省。这在车辆的500km的续航里程中可以减小约2.5kWh的电池容量。在具有两个电驱动装置的车辆的常规行驶运行中，主要使一个驱动装置承受负载，而另一个驱动装置仅被联动。仅当第一驱动转轴不能单独满足转矩要求时，才接入第二驱动装置。在驱动装置之间的转矩分配由于效率原因主要偏重在一个驱动装置上。根据本专利技术，在具有多个电驱动装置的驱动系统中，将具有碳化硅-半导体构件的至少一个逆变器(SiC-逆变器)与具有硅-半导体构件的至少一个逆变器(传统的Si-逆变器)组合。这种组合提供了一系列优点。通过高效的SiC-逆变器涵盖了在行驶运行中较低的载荷范围。由此减小了为达到续航里程要求所需的电池容量。在车辆中可以使用较小容量的电池，这实现了节约。较小的电池容量还实现了按比率(充电比)减小的充电时间。由于通过Si-逆变器对SiC-逆变器进行补充，从而驱动系统的总功率保持不变。机动车也表现出与具有两个Si-逆变器的车辆相同的性能。本专利技术的主题是一种用于机动车的电驱动系统，该机动车具有至少两个电机以及至少一个具有硅-半导体构件的逆变器和至少一个具有碳化硅-半导体构件的逆变器。根据本专利技术的用于机动车的电驱动系统具有至少两个电机(E-Maschinen)。在一个实施形式中，机动车具有三个电机。在一个实施形式中，机动车具有四个电机。在一个实施形式中，一个电机驱动机动车的前桥，另一电机驱动机动车后桥。在另一实施形式中，机动车的每个车轮都由单独的电机驱动。通过为每个电机配设的单独的逆变器(Wechselrichter)为电机中的每个电机提供交流电。驱动系统具有至少一个具有硅-半导体构件的逆变器和至少一个具有碳化硅-半导体构件的逆变器。在一个实施形式中，驱动系统具有两个电机、一个具有硅-半导体构件的逆变器和一个具有碳化硅-半导体构件的逆变器。在另一实施形式中，驱动系统具有四个电机，两个具有硅-半导体构件的逆变器和两个具有碳化硅-半导体构件的逆变器。逆变器(Wechselrichtern)的构造对于本领域技术人员原则上是已知的。逆变器从由HV电池或燃料电池提供的直流电压中产生交流电压以用于使电机运行。在根据本专利技术的驱动系统的实施形式中，逆变器是正弦逆变器，就是说，逆变器产生正弦形的交流电压。在一个实施形式中，逆变器在通过脉宽调制(PWM)的斩波操作中(Chopper操作)产生正弦形的输出交流电压。借助用作开关元件的晶体管(例如IGBT或MOSFET)通过脉宽调制(PWM)在斩波操作中由高频率的短脉冲模拟正弦交流电压。晶体管以高频率使直流电压换向。在一个实施形式中，逆变器的开关频率在10kHz至25kHz的范围内。高频率的、脉宽调制的开关频率的平均值是输出交流电压。也可以由小的、不同宽度的脉冲合成输出交流电压并形成正弦形的电压变化。在一个实施形式中，至少一个具有硅-半导体构件的逆变器(Si-逆变器)包括至少一个Si-IGBT和至少一个Si-二极管，就是说，IGBT和二极管由硅-半导体构件制成。在一实施形式中，至少一个具有碳化硅-半导体构件的逆变器(SiC-逆变器)包括至少一个SiC-MOSFET、即由碳化硅-半导体制成的MOSFET。在另一实施形式中，SiC-逆变器包括至少一个Si-IGBT和至少一个SiC-二级管。本专利技术的主题是一种用于运行根据本专利技术的驱动系统的方法。在此在机动车的行驶运行中，当转矩要求小于由通过SiC-逆变器供电的电机能产生的最大转矩时，仅通过SiC-逆变器供电的电机被用于运行机动车。如果转矩要求大于由通过SiC-逆变器供电的电机能产生的最大转矩时，则既使用由SiC-逆变器供电的电机又使用由Si-逆变器供电的电机来驱动机动车。在本方法的一个实施形式中，机动车的前桥通过至少一个由Si-逆变器供电的电机驱动，而机动车的后桥通过至少一个由SiC-逆变器供电的电机驱动。当然在不脱离本专利技术的范围时，上述的和在下面还要描述的特征不仅能以相应给出的组合方式，而且能以其它组合方式或单独地使用。附图说明根据在附图中的实施形式示意性示出本专利技术且参照附图进一步描述本专利技术。附图示出：图1示出不同的逆变器损耗功率的比较图；图2示出根据本专利技术的具有两个不同的逆变器的驱动系统的实施例的示意图。具体实施方式图1中，图1a示出在全负荷运行中不同的逆变器在不同的脉冲频率下在恒定的负荷点处的损耗功率的比较图；图1b)示出在部分负荷运行中不同的逆变器在不同的脉冲频率下在恒定的负荷点处的损耗功率的比较图。所使用的逆变器以最大功率180kW、最大电压1200VHL、在10s间隔上取平均值为150安培的交流电运行。逆变器曾被针对在过渡处的最大为175℃(Si-逆变器)或200℃(SiC-逆变器)的最大温度来设计。从测量中确定损耗数据。用于计算的边界条件是：cosphi(功率因素)：0.7；最大调制比：0.9；电机+变速器的效率：0.9*0.94；DC电压：800V。如从图1a中看出，SiC-逆变器在全负荷运行(350安培，开关频率10kHz)中的损耗功率比Si-逆变器小35％。损耗功率是开关损耗11与导通损耗的12的总和。由于显著较小的开关损耗11造成该减小。在以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于机动车的电驱动系统(20)，该电驱动系统具有至少两个电机(22)以及至少一个具有硅‑半导体构件的逆变器(24)和至少一个具有碳化硅‑半导体构件的逆变器(25)。

【技术特征摘要】
2017.10.23 DE 102017218866.91.一种用于机动车的电驱动系统(20)，该电驱动系统具有至少两个电机(22)以及至少一个具有硅-半导体构件的逆变器(24)和至少一个具有碳化硅-半导体构件的逆变器(25)。2.根据权利要求1所述的电驱动系统(20)，其特征在于，具有硅-半导体构件的逆变器(24)包括至少一个Si-IGBT和至少一个Si-二极管。3.根据权利要求1或2所述的电驱动系统(20)，其特征在于，具有碳化硅-半导体构件的逆变器(25)包括至少一个SiC-MOSFET。4.根据权利要求1或2所述的电驱动系统(20)，其特征在于，具有碳化硅-半导体构件的逆变器(25)包括至少一个Si-IGBT和至少一个SiC-二极管。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电驱动系统(20)，其特征在于，逆变器(24、25)是正弦逆变器。6.根据权利要求5所述的电驱动系统(20)，其特征在于，逆变器(24、25)在斩波操作中通过脉宽调制产生正弦形输出电压。7.根据权利要求6所述的电驱动系统(20...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿佩斯迈尔，M·席德迈尔，
申请(专利权)人：奥迪股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE