一种石墨片表面绝缘的处理方法及石墨片技术

技术编号:20998784 阅读:40 留言:0更新日期:2019-04-30 20:19
本发明专利技术公开了一种石墨片表面绝缘的处理方法,包括以下步骤:将石墨片放置在PECVD设备中,输入氧气、氢气或者水蒸汽,用等离子体轰击石墨片表面,使得石墨片表面改性,在石墨片表面形成绝缘的氧化石墨烯层,对石墨片有每个表面都进行相同的等离子轰击,使得石墨片的每个表面都形成相同厚度的氧化石墨烯层。本发明专利技术不需要其他辅料,直接利用石墨片形成,生产良率高。

A Treatment Method of Surface Insulation of Graphite Sheet and Graphite Sheet

【技术实现步骤摘要】
一种石墨片表面绝缘的处理方法及石墨片
本专利技术属于石墨
,具体地说是一种石墨片表面绝缘的处理方法及石墨片。
技术介绍
石墨导热片具有优异的导热性能和导电性能,其对热量的传导速度非常快,具有高热通量的特性。同时,石墨导热板也具有导电性能,因此,在应用时,为了确保绝缘性,需要对石墨导热板进行绝缘处理。在应用石墨导热片时,需要进行绝缘处理,避免石墨导热片与电子产品内部的元器件发生冲突,造成短路。现有的对石墨导热片表面进行绝缘处理的方式,在石墨片表面粘贴单面胶,同时利用双面胶紧贴在石墨片底面,将石墨片夹装在内的夹层结构。耗费的材料较多,造成的石墨片的表面热阻较大,降低导热效率,也提高了生产成本。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题,本专利技术提供了一种石墨片表面绝缘的处理方法及石墨片,不需要其他辅料,直接利用石墨片形成,生产良率高,同时保持石墨片原有的导热效率。为了解决上述技术问题,本专利技术采取以下技术方案:一种石墨片表面绝缘的处理方法,包括以下步骤:将石墨片放置在PECVD设备中,输入氧气、氢气或者水蒸汽,用等离子体轰击石墨片表面,使得石墨片表面改性,在石墨片表面形成绝缘的氧化石墨烯层。所述对石墨片有每个表面都进行相同的等离子轰击,使得石墨片的每个表面都形成相同厚度的氧化石墨烯层。所述氧化石墨烯层的厚度为100-200nm。所述石墨片为人工合成石墨片或者天然石墨片。所述氧化石墨烯层的厚度小于石墨片的厚度的一半。一种石墨片,根据以上处理方法处理得到,包括石墨片和在该石墨片表面生成的绝缘的氧化石墨烯层。本专利技术通过对石墨片进行等离子轰击,不需要借助其他辅助物料来生成,使得石墨片表面改性,从而生成绝缘的氧化石墨烯层,生成良率高,节省制造成本,同时不影响石墨片的内部结构,保证了石墨片的导热效率。附图说明附图1为本专利技术的石墨片的剖面结构。具体实施方式为能进一步了解本专利技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。本专利技术揭示了一种石墨片表面绝缘的处理方法,如附图1所示,包括以下步骤:将石墨片放置在PECVD设备中,输入氧气、氢气或者水蒸汽,用等离子体轰击石墨片1表面,使得石墨片表面改性,添加官能团-COOH,具有碳原子和氧原子,从而在石墨片1表面形成绝缘的氧化石墨烯层2。该氧化石墨烯层的生成,不需要其他辅助物料,直接利用石墨片自身通过等离子体轰击而形成,减少材料的使用,降低成本,同时只针对石墨片表面进行轰击,不会影响到石墨片的内部结构,不影响石墨片的导热效率。所述对石墨片有每个表面都进行相同的等离子轰击,使得石墨片的每个表面都形成相同厚度的氧化石墨烯层。氧化石墨烯层完全覆盖着石墨片的每一个表面,确保石墨片的表面具有绝缘性,在应用过程中不会与其他线路或者PCB板产生短路情况。所述氧化石墨烯层的厚度为100-200nm。通常情况下,氧化石墨烯层的厚度小于石墨片的厚度的一半,确保在等离子轰击时,不会对石墨片的内部结构产生影响,保证石墨片的热传导效率。所述石墨片为人工合成石墨片或者天然石墨片。本专利技术直接以石墨片为基本材料,在PECVD设备中进行等离子体轰击石墨片表面,同时借助输入的氧气、氢气、水蒸汽,具有环氧基,羰基,并含有少许空洞,又吸收少许水份生成羟基,羧基等官能团,从而有效的生成氧化石墨烯层。需要说明的是,以上仅为本专利技术的优选实施例而已,并不用于限制本专利技术,尽管参照实施例对本专利技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,但是凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨片表面绝缘的处理方法,包括以下步骤:将石墨片放置在PECVD设备中,输入氧气、氢气或者水蒸汽,用等离子体轰击石墨片表面,使得石墨片表面改性,在石墨片表面形成绝缘的氧化石墨烯层。

【技术特征摘要】
1.一种石墨片表面绝缘的处理方法,包括以下步骤:将石墨片放置在PECVD设备中,输入氧气、氢气或者水蒸汽,用等离子体轰击石墨片表面,使得石墨片表面改性,在石墨片表面形成绝缘的氧化石墨烯层。2.根据权利要求1所述的石墨片表面绝缘的处理方法,其特征在于,所述对石墨片有每个表面都进行相同的等离子轰击,使得石墨片的每个表面都形成相同厚度的氧化石墨烯层。3.根据权利要求2所述的石墨片表面绝缘的处理...

【专利技术属性】
技术研发人员:任泽永任泽明熊婷
申请(专利权)人:广东思泉新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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