本发明专利技术涉及以下技术，即，在对半导体装置施加高电压的测试时，为了防止损伤波及到探针，对在探针的附近产生点破坏进行抑制。在半导体装置的测定方法中，半导体装置具备：半导体衬底(1)；外延层(2)；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3)，其在外延层的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)；阳极电极(12)；以及阴极电极(13)。使探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个第2导电型区域的轮廓的范围内的阳极电极的上表面接触，施加电压。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的测定方法
本申请的说明书所公开的技术涉及半导体装置的测定方法。
技术介绍
如果针对使用了碳化硅(SiC)的肖特基势垒二极管(Schottkybarrierdiode，即，SBD)，或者，针对使用了碳化硅(SiC)的结势垒控制肖特基二极管(junctionbarriercontrolledschottkydiode；JBS)，例如，如专利文献1(日本特开2014-229651号公报)所记载的那样，进行施加高电压的测试，则有时由于SiC中的晶体缺陷而产生点破坏。就以往的半导体芯片而言，有时流过电流的区域成为均匀的构造，特别地，在测定用探针的附近产生上述的点破坏。在测定用探针的附近产生了点破坏的情况下，破坏时的损伤波及到探针，因此需要中断测试、更换探针。专利文献1：日本特开2014-229651号公报
技术实现思路
如上述所示，就以往的SiC-SBD或者SiC-JBS而言，如果进行施加高电压的测试，则有时由于SiC中的晶体缺陷而产生点破坏。该点破坏是在发生了正反馈的情况下通过热破坏而产生的，该正反馈是指在以晶体缺陷为起点产生高泄漏电流而发热，进而，通过该发热而使泄漏电流增加。在该热破坏在探针的附近产生的情况下，电极融化飞散而附着到探针，或者，探针本身通过热而变形，产生上述这样的对探针的损伤。如果在残存这样的损伤的状态下继续测定，则例如，产生诸如电极触痕变大引起组装问题，或者，对电极下部的半导体装置表面造成损伤而引起功能不全这样的测定问题。因此，在探针的附近产生了点破坏的情况下，需要中断测试、更换探针。特别地，在使用了内含大量晶体缺陷的半导体材料，例如，碳化硅(SiC)的半导体装置的测试中，由于大量产生点破坏，从而测试中断频率以及探针的更换频率变高。因此，存在处理能力下降的问题。本申请的说明书所公开的技术就是为了解决上述所记载的问题而提出的，其涉及在对半导体装置施加高电压的测试时，为了防止损伤波及到探针，对在探针的附近产生点破坏这一情况进行抑制的技术。本申请的说明书所公开的技术的第1方式是对半导体装置使用探针(21、25)而施加电压的半导体装置的测定方法，所述半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(1)；第1导电型的外延层(2)，其形成于所述半导体衬底(1)的上表面；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3、5)，其在所述外延层(2)的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)，其覆盖所述外延层(2)的上表面以及所述第2导电型区域(3、5)的上表面而形成；阳极电极(12)，其形成于所述肖特基电极(11)的上表面；以及阴极电极(13)，其形成于所述半导体衬底(1)的下表面，使所述探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2导电型区域(3、5)的所述轮廓的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，施加电压。另外，本申请的说明书所公开的技术的第2方式是对半导体装置使用探针(21、25)而施加电压的半导体装置的测定方法，所述半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(1)；第1导电型的外延层(2)，其形成于所述半导体衬底(1)的上表面；第1肖特基电极(11)，其在所述外延层(2)的上表面至少形成1个；第2肖特基电极(14)，其在所述外延层(2)的上表面至少形成1个，且，与所述第1肖特基电极(11)相比，与所述外延层(2)之间的肖特基势垒高；阳极电极(12)，其形成于所述第1肖特基电极(11)的上表面以及所述第2肖特基电极(14)的上表面；以及阴极电极(13)，其形成于所述半导体衬底(1)的下表面，使所述探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2肖特基电极(14)的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，施加电压。专利技术的效果本申请的说明书所公开的技术的第1方式是对半导体装置使用探针(21、25)而施加电压的半导体装置的测定方法，所述半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(1)；第1导电型的外延层(2)，其形成于所述半导体衬底(1)的上表面；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3、5)，其在所述外延层(2)的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)，其覆盖所述外延层(2)的上表面以及所述第2导电型区域(3、5)的上表面而形成；阳极电极(12)，其形成于所述肖特基电极(11)的上表面；以及阴极电极(13)，其形成于所述半导体衬底(1)的下表面，使所述探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2导电型区域(3、5)的所述轮廓的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，施加电压。根据这样的结构，能够对在探针的附近产生点破坏进行抑制。另外，本申请的说明书所公开的技术的第2方式是对半导体装置使用探针(21、25)而施加电压的半导体装置的测定方法，所述半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(1)；第1导电型的外延层(2)，其形成于所述半导体衬底(1)的上表面；第1肖特基电极(11)，其在所述外延层(2)的上表面至少形成1个；第2肖特基电极(14)，其在所述外延层(2)的上表面至少形成1个，且，与所述第1肖特基电极(11)相比，与所述外延层(2)之间的肖特基势垒高；阳极电极(12)，其形成于所述第1肖特基电极(11)的上表面以及所述第2肖特基电极(14)的上表面；以及阴极电极(13)，其形成于所述半导体衬底(1)的下表面，使所述探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2肖特基电极(14)的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，施加电压。根据这样的结构，能够对在探针的附近产生点破坏进行抑制。本申请的说明书所公开的技术涉及的目的、特征、方案以及优点通过以下示出的详细说明和附图变得更清楚。附图说明图1是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的局部构造的剖面图。图2是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的局部构造的俯视图。图3是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的整体构造的剖面图。图4是用于对实施方式涉及的阳极p型区域的配置间隔进行说明的剖面图。图5是用于对实施方式涉及的阳极p型区域的配置间隔进行说明的剖面图。图6是用于对实施方式涉及的阳极p型区域的配置间隔进行说明的剖面图。图7是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的剖面图。图8是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的俯视图。图9是例示出实施方式涉及的阳极p型区域的大小与探针的剖面大小之间的关系的图。图10是用于对实施方式涉及的阳极p型区域的配置间隔进行说明的剖面图。图11是用于对实施方式涉及的阳极p型区域的配置间隔进行说明的剖面图。图12是例示出使用实施方式涉及的半导体装置，进行施加电压的测试的情况的剖面图。图13是例示出使用实施方式涉及的半导体装置，进行施加电压的测试的情况的剖面图。图14是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的剖面图。图15是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的剖面图。图16是例示出使用实施方式涉及的半导体装置，进行施加电压的测试的情况的剖面图。图17是例示出使用实施方式涉及的半导体装置，进行施加电压的测试的情况的剖面图。图18是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的剖面图。图19是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的俯视图。图20是概略地例示出实施方式涉及的半导体装置的构造的剖面图本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的测定方法，其是对半导体装置使用探针(21、25)而施加电压的半导体装置的测定方法，所述半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(1)；第1导电型的外延层(2)，其形成于所述半导体衬底(1)的上表面；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3、5)，其在所述外延层(2)的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)，其覆盖所述外延层(2)的上表面以及所述第2导电型区域(3、5)的上表面而形成；阳极电极(12)，其形成于所述肖特基电极(11)的上表面；以及阴极电极(13)，其形成于所述半导体衬底(1)的下表面，使所述探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2导电型区域(3、5)的所述轮廓的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，施加电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的测定方法，其是对半导体装置使用探针(21、25)而施加电压的半导体装置的测定方法，所述半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(1)；第1导电型的外延层(2)，其形成于所述半导体衬底(1)的上表面；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3、5)，其在所述外延层(2)的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)，其覆盖所述外延层(2)的上表面以及所述第2导电型区域(3、5)的上表面而形成；阳极电极(12)，其形成于所述肖特基电极(11)的上表面；以及阴极电极(13)，其形成于所述半导体衬底(1)的下表面，使所述探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2导电型区域(3、5)的所述轮廓的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，施加电压。2.根据权利要求1所述的半导体装置的测定方法，其中，在对所述半导体装置施加比阈值高的电压的情况下，使所述探针(21)仅与俯视观察时位于形成至少1个所述第2导电型区域(3、5)的所述轮廓的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，在对所述半导体装置施加比阈值低的电压的情况下，使所述探针(21、25)与俯视观察时位于形成至少1个所述第2导电型区域(3、5)的所述轮廓的范围内的所述阳极电极(12)的上表面接触，而且，还与俯视观察时位于未形成所述第2导电型区域(3、5)的范围的所述阳极电极(12)的上表面接触。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的测定方法，其中，所述第2导电型区域(3)是在俯视观察时所述轮廓内的整体呈第2导电型的区域。4.根据权利要求3所述的半导体装置的测定方法，其中，所述半导体装置还具备至少1个第2导电型的JBS区域(50)，该JBS区域(50)在所述外延层(2)的表层局部地形成，且，具有与所述肖特基电极(11)接触的呈第2导电型的区域和与所述肖特基...
【专利技术属性】
技术研发人员：大久野幸史，鹿间省三，樽井阳一郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。