一种二极管芯片清洗工艺制造技术

一种二极管芯片的清洗工艺。涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改进。能进一步减少芯片侧表面金属离子，从而避免芯片在工作中会出现“爬电”现象。依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。与以往的配方相比，本发明专利技术在氨洗液中加入了双氧水，在充分混合的情况下通过下酸管道下到酸洗盘上，酸液没过上钉头(相当于芯片上端面的夹具部件)使得反应充分，进而能使芯片侧表面的金属杂质去除得更加彻底，材料在高温下使用更加稳定，降低由于表面漏电的偏大而导致材料电性的不稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种二极管芯片清洗工艺
本专利技术涉及半导体芯片的清洗工艺，尤其涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改进。
技术介绍
现有技术对二极管芯片清洗的工艺过程是：混酸清洗、双磷清洗和氨水清洗，在每道清洗工序后有清水的清洗工序。其中混酸清洗时清洗液中包括硝酸、硫酸、氢氟酸和冰醋酸；双磷清洗时清洗液中包括双氧水和磷酸，氨水清洗时的清洗液是氨水稀释溶液。原来使用的氨水配比为3份水和1份氨水，前面双磷对晶粒主要是起氧化作用，因为经混酸反应之后，单质Si有一个悬挂键露在外边，双氧水在酸性条件下又与金属原子形成金属氧化物，然后又与H3PO4反应生成金属离子，通过冲洗后去除重金属原子。在NH3这一步，是通过NH4+的络合作用把金属离子进一步去除干净，但部分金属原子在混酸中没有被完全氧化也进入到第三道清洗过程中，在第三道清洗的离子震荡过程中不能被去除。整个过程中晶粒表面的金属污染的去除效果没有我们预期的那么好，从而影响酸洗二极管的电性。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中的问题，提供了一种能进一步减少芯片侧表面金属离子，从而避免芯片在工作中会出现“爬电”现象的二极管芯片的清洗工艺。本专利技术的技术方案是：依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，所述氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。所述氨水、水和双氧水的配置方式为：将所述水量的1/3先置入容器，再往其中加入所述的氨水，接着将剩余的水加入，最后加入所述双氧水。与以往的配方相比，本专利技术在氨洗液中加入了双氧水，在充分混合的情况下通过下酸管道下到酸洗盘上，酸液没过上钉头(相当于芯片上端面的夹具部件)使得反应充分，进而能使芯片侧表面的金属杂质去除得更加彻底，材料在高温下使用更加稳定，降低由于表面漏电的偏大而导致材料电性的不稳定。具体实施方式本专利技术的清洗工艺依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，所述氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。所述氨水、水和双氧水的配置方式为：将所述水量的1/3先置入容器，再往其中加入所述的氨水，接着将剩余的水加入，最后加入所述双氧水。本专利技术的作用机理是：双氧水具有强氧化的作用，由于经过双磷之后芯片的晶粒表面残留的金属原子在双氨中被双氧水强氧化形成金属氧化物，以利于去除晶粒表面的金属杂质污染。本专利技术的核心在于改善酸洗二极管酸洗工艺中双氨的配比方式，从而达到在经过双氨的过程中进一步去除金属杂质污染的效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管芯片清洗工艺，依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，其特征在于，所述氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。

【技术特征摘要】
1.一种二极管芯片清洗工艺，依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，其特征在于，所述氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴强德，
申请(专利权)人：嘉兴柴薪科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33