形成金手指结构的方法技术

本发明专利技术公开一种形成金手指结构的方法，包含：形成至少一金属层于基板上，所述至少一金属层邻近基板的边缘。使用激光处理所述至少一金属层以形成第一凹槽于所述至少一金属层中并暴露出基板，第一凹槽的延伸方向实质上平行于基板的边缘且横跨经处理的至少一金属层。

Method of Forming Golden Finger Structure

The invention discloses a method for forming a golden finger structure, comprising: forming at least one metal layer on a substrate, and at least one metal layer adjacent to the edge of the substrate. The first groove is processed by laser to form a first groove in the at least one metal layer and expose the substrate. The extension direction of the first groove is substantially parallel to the edge of the substrate and across at least one metal layer processed.

【技术实现步骤摘要】
形成金手指结构的方法
本专利技术涉及一种制造金手指结构的方法，特别是涉及一种制造断接金手指的方法。
技术介绍
电路板的板边接触点(edgeconnector)或接脚也被称为金手指(goldfinger)。金手指可配置于电脑显卡、存储器、USB界面等相关设备中，用以与其他基板相接触。金手指必须具有良好的耐磨性和低接触电阻，可满足多次插拔的需求。部分电路板由于界面的设计需要，需将部分金手指截断以形成断接金手指(disconnectedgoldfinger)。在传统的截断方式中，先形成湿膜覆盖金手指欲截断处，之后形成金属层于金手指未被湿膜覆盖处上，最后移除湿膜并蚀刻欲截断处。然而，在传统方式中容易因湿膜位置偏移而造成金手指未完全截断，或因湿膜剥离而造成截断处不平整。因此需要一种新的截断金手指的方法改善上述问题。
技术实现思路
根据本专利技术的多个实施方式，提供一种制造金手指结构的方法，包含：形成至少一金属层于一基板上，所述至少一金属层邻近基板的边缘。使用激光处理所述至少一金属层以形成第一凹槽于所述至少一金属层中并暴露出基板，第一凹槽的延伸方向实质上平行于基板的边缘且横跨经处理的至少一金属层。在某些实施方式中，所述至少一金属层包含第一金属层以及第二金属层，第一金属层与第二金属层彼此分离，且实质上彼此平行排列，第一及第二金属层各自具有矩形上视轮廓，且第一及第二金属层各自的短边实质上平行于基板的边缘，其中第一凹槽位于第一金属层。在某些实施方式中，使用激光处理至少一金属层的步骤包含：使用激光处理第二金属层以形成第二凹槽于第二金属层中并暴露出基板，第二凹槽与基板的边缘之间的距离不同于第一凹槽与基板的边缘之间的距离。在某些实施方式中，形成该至少一金属层的步骤包含：形成导电层于基板上，导电层包含银层、铜层、金层、或铝层。形成阻障层于导电层上。形成硬金层于阻障层上方。在某些实施方式中，在形成阻障层后但形成第二金属层前，还包含形成钯层或金层于阻障层上。在某些实施方式中，第一凹槽的宽度介于2至6mil。本专利技术的多个实施方式，提供一种制造金手指结构的方法，包含：形成至少一金属层于基板上，至少一金属层邻近基板的边缘。至少一金属层包含导电层及硬金层，硬金层配置于导电层上。使用激光处理所述至少一金属层以形成凹槽于至少一金属层中，凹槽暴露出导电层。凹槽的延伸方向平行于基板的边缘，且横跨经处理的至少一金属层。移除凹槽的导电层以暴露出基板。在某些实施方式中，所述至少一金属层包含第一金属层以及第二金属层，第一金属层与第二金属层彼此分离，且实质上彼此平行排列，第一及第二金属层各自具有矩形上视轮廓，且第一及第二金属层各自的短边实质上平行于基板的边缘，其中第一凹槽位于第一金属层。在某些实施方式中，使用激光处理至少一金属层的步骤包含：使用激光处理第二金属层以形成第二凹槽于第二金属层中并暴露出基板，第二凹槽与基板的边缘之间的距离不同于第一凹槽与基板的边缘之间的距离。在某些实施方式中，第一金属层的厚度介于10至15μm。通过上述实施方式，金手指凹槽的两侧壁可为平整的结构，且可精准控制凹槽的宽度及位置。不需受图案化制作工艺的曝光极限或湿膜的尺寸所限制。为使本专利技术的上述及其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图详细说明如下。附图说明图1为某些实施方式的金手指结构的制造方法的流程图；图2为本揭露内容某些实施方式的电路板的俯视示意图；图3A～图3B为某些实施方式的金手指结构的剖面示意图；图4为某些实施方式的断接金手指结构的俯视示意图；图5A～图5C为某些实施方式的断接金手指结构的剖面示意图；图6A～图6C为某些实施方式的断接金手指结构的剖面示意图。符号说明10方法S12、S14步骤200电路板202芯片区203基板204金手指204a、204b金手指子区域2042导电层2042a、2042b导电层子区域2044阻障层2044a、2044b阻障层子区域2045钯层2045a、2045b钯层子区域2046金层2046a、2046b金层子区域2048硬金层2048a、2048b硬金层子区域R、R’、R”凹槽T厚度W宽度具体实施方式以下将详细讨论本实施例的制造与使用，然而，应了解到，本专利技术提供实务的创新概念，其中可以用广泛的各种特定内容呈现。下文叙述的实施方式或实施例仅为说明，并不能限制本专利技术的范围。尽管本揭露内容中可使用“第一”、“第二”等用语来描述各种元件、区域、层以及/或部分，但是这些用语不应限制此等元件、区域、层以及/或部分。这些用语只是用来将某一元件、区域、层以及/或部分区别于另一区域、层以及/或部分。因此，在不脱离本
技术实现思路
的情况下，下文所述的第一元件、区域、层或部分可称为第二元件、区域、层或部分。此外，本文所使用的用语仅是为描述特定实施例的目的，且并非想要限制本
技术实现思路
。譬如在说明书中所使用，除非本文另外有明确指示，否则单数形式“一”以及“所述”也包括多个(plurality)的形式。本
技术实现思路
提供一种制造金手指结构的方法。此金手指结构具有凹槽，凹槽横跨金手指结构，通过本
技术实现思路
的某些实施方式，可使凹槽的两侧壁平整，同时可精准控制凹槽的宽度及位置。以下提供各种关于金手指结构的制造方法的实施例，其中详细说明此金手指结构的制造步骤。如图1所示，方法10包含步骤S12及步骤S14。可以理解的是，可以在方法10之前、期间或之后提供额外的步骤，而且某些下述的步骤能被取代或删除，作为制备方法的额外实施方式。方法10开始于步骤S12，形成金属层于基板上，金属层邻近基板的边缘。本文中，上述金属层又可称为「金手指」。如图2所示，电路板200包含芯片区202、基板203及金手指(即金属层)204。金手指204配置于基板203上，且邻近电路板200的边缘。在某些实施方式中，电路板200包含多个金手指，例如金手指204及金手指204”。金手指204及金手指204”彼此分离，且实质上彼此平行排列。金手指204及金手指204”各自具有一矩形上视轮廓，且金手指204及金手指204”各自的一短边实质上平行于基板203的边缘。图3A～图3B为沿图2A-A线段的截面示意图。在某些实施方式中，如图3A所示，形成金手指204的方法包含先形成导电层2042于基板203上。之后形成阻障层2044于导电层2042上，再形成硬金层2048于阻障层2044上方。在某些实施方式中，如图3B所示，阻障层2044与硬金层2048之间可包含钯层2045及/或金层2046。在一实施例中，钯层2045配置于阻障层2044上，金层2046配置于钯层2045上。在某些实施例中，导电层2042包含导电度高的金属，例如银层、铜层、金层、或铝层。在某些实施例中，阻障层2044包含镍层，且形成阻障层2044的方法包含使用无电镀镍浸金(ElectrolessNickel/ImmersionGold)制作工艺。阻障层2044用于防止导电层2042与硬金层2048之间的原子扩散。在某些实施例中，在形成硬金层2048前，会先在整个电路板200上涂布一层防焊层(未绘示)并暴露出金手指204。防焊层可保护电路板200上的芯片区202及线路(未绘示)，避免因刮伤而造成短路及/或断路现象，并达成防焊功能。防焊层可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造金手指结构的方法，包含：形成至少一金属层于一基板上，该至少一金属层邻近该基板的一边缘；以及使用一激光处理该至少一金属层以形成一第一凹槽于该至少一金属层中并暴露出该基板，该第一凹槽的一延伸方向实质上平行于该基板的该边缘且横跨经处理的该至少一金属层。

【技术特征摘要】
1.一种制造金手指结构的方法，包含：形成至少一金属层于一基板上，该至少一金属层邻近该基板的一边缘；以及使用一激光处理该至少一金属层以形成一第一凹槽于该至少一金属层中并暴露出该基板，该第一凹槽的一延伸方向实质上平行于该基板的该边缘且横跨经处理的该至少一金属层。2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一金属层包含一第一金属层以及一第二金属层，该第一金属层与该第二金属层彼此分离，且实质上彼此平行排列，该第一及该第二金属层各自具有一矩形上视轮廓，且该第一及该第二金属层各自的一短边实质上平行于该基板的该边缘，其中该第一凹槽位于该第一金属层。3.如权利要求2所述的方法，其中使用该激光处理该至少一金属层的步骤包含：使用该激光处理该第二金属层以形成一第二凹槽于该第二金属层中并暴露出该基板，该第二凹槽与该基板的该边缘之间的一距离不同于该第一凹槽与该基板的该边缘之间的一距离。4.如权利要求1所述的方法，其中形成该至少一金属层的步骤包含：形成一导电层于该基板上，该导电层包含银层、铜层、金层、或铝层；形成一阻障层于该导电层上；以及形成一硬金层于该阻障层上方。5.如权利要求4所述的方法，在形成该阻障层后，但在形成该硬金层前，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨伟雄，石汉青，范立文，胡峻榕，温少群，
申请(专利权)人：健鼎无锡电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32