The invention relates to a high reliability, low power consumption power-on reset circuit. This circuit combines a comparator with a Schmidt flip-flop. Compared with the previous RC reset circuit, it has the characteristics of small area, low power consumption and high reliability of repetitive power-on, and the threshold of power-on and power-off can be set. The reset circuit of the invention completely solves the disadvantage of the traditional RC power-on reset circuit that the capacitance of the capacitor must be increased and the area of the layout must be enlarged in order to have a wider reset pulse. It solves the problem that the capacitance charge can not be released immediately when the power supply voltage drops rapidly to zero. It can avoid the continuous reset pulse caused by the unstable power supply. The circuit does not use capacitance, and when it drops quickly. When electrified, it can also be effectively reset. The Hspice software is used to simulate the circuit. When the power supply voltage is 3.3V, the power-on threshold is set to 3V, and the power-off threshold is set to 2.8V. Slow power-on and extreme speed power-off have good reset effect.
【技术实现步骤摘要】
一种上电复位电路
本专利技术涉及集成电路领域,具体的说是一种上电复位电路。
技术介绍
在集成电路领域,无论是数字集成电路中还是混合集成电路中,都使用复位电路,如触发器、寄存器等电路,电路在上电过程中,由于数字电路电源极其不稳定,在这段时间里数字电路逻辑错乱,易产生错误逻辑,所以数字电路上电以后的初始阶段需要一个确定状态,即清零状态,这就需要一个性能非常良好的上电复位电路。上电复位电路需要在电源稳定以后产生一个复位脉冲,这样系统内部数字电路靠这个复位脉冲进行充分可靠的复位。一个性能良好的上电复位电路除此之外还应该具有重复上电也可以有效复位的性能。微电子工业兴起于20世纪50年代,至今已经经历了半个多世纪的快速发展,深刻改变了社会的面貌。随着集成电路制造工艺不断提升,集成电路的制造尺寸越来越小,这要求上电复位电路所占面积也要减小,复位可靠性也要提高,而传统RC复位无法满足要求,为了延长复位时间,需要较大的电容来延长复位时间,这将占用很大的版图面积,无法适应现代工艺要求,而本设计采用比较器与施密特触发器相结合的方式,它可以避免使用过大的版图面积,也可以延长所必需的复位脉冲宽度和降低功耗。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足,本专利技术提供了一种新型上电复位电路,完全解决了传统RC上电复位电路,如果想要复位脉冲比较宽就必须增大电容的容值,这样版图的面积将增大,当电源电压迅速降到零时,电容电荷不能立即泄放干净,电源此时上电时电路无法产生复位脉冲信号的各种问题。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案是:一种上电复位电路,包括:电源VDD依次经过电阻R1、电阻R2、电 ...
【技术保护点】
1.一种上电复位电路,其特征在于包括:电源VDD依次经过电阻R1、电阻R2、电阻R3后接地,电阻R1、电阻R2之间的节点B连接MOS开关管M2的源极,电阻R2、电阻R3之间的节点A连接MOS开关管M1的源极,MOS开关管M1的漏极、MOS开关管M2的漏极分别连接比较器C的反相输入端,比较器C的同相输入端连接参考电压V1D2,比较器C的输出端依次经过施密特触发器INV1、反相器INV2输出信号VO,MOS开关管M2的栅极还连接施密特触发器INV1的输出端,MOS开关管M1的栅极还连接反相器INV2的输出端。
【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路,其特征在于包括:电源VDD依次经过电阻R1、电阻R2、电阻R3后接地,电阻R1、电阻R2之间的节点B连接MOS开关管M2的源极,电阻R2、电阻R3之间的节点A连接MOS开关管M1的源极,MOS开关管M1的漏极、MOS开关管M2的漏极分别连接比较器C的反相输入端,比较器C的同相输入端连接参考电压V1D2,比较器C的输出端依次经过施密特触发器INV1、反相器INV2输出信号VO,MOS开关管M2的栅极还连接施密特触发器INV1的输出端,MOS开关管M1的栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员:范超,王沦,唐冬,林雨佳,荆洲,张丹,张禹,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十七研究所,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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