一种半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件及形成方法，该半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻第一区域之间的第二区域；位于第二区域的沟槽；位于沟槽内的隔离结构，隔离结构包括：位于沟槽表面的绝缘层以及位于绝缘层背离沟槽一侧的信号阻挡层，信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；从而利用金属层对半导体结构中相邻第一区域中间深度较浅的区域进行信号隔离，提高相邻第一区域中间深度较浅的区域的信号隔离效果，进而缓解半导体器件中不同区域的信号串扰现象，并利用第一氧化物层对相邻第一区域中间深度较深区域进行信号隔离，解决现有工艺无法实现深度较深区域的金属沉积的问题。

A Semiconductor Device and Its Formation Method

The embodiment of the present invention discloses a semiconductor device and a forming method, which comprises a semiconductor structure comprising at least two adjacent first regions and a second region between adjacent first regions, a groove in the second region, and an isolation structure in a groove, comprising an insulating layer on the groove surface and an insulating layer on the groove surface. The edge layer deviates from the signal barrier layer on the side of the groove, and the signal barrier layer includes the first oxide layer and the metal layer stacked along the first direction. Thus, the metal layer is used to isolate the signal in the shallow area of the adjacent first area in the semiconductor structure, so as to improve the signal isolation effect in the shallow area of the adjacent first area, thereby alleviating the different areas in the semiconductor device. The phenomenon of signal crosstalk and signal isolation of the deep area in the middle of the adjacent first region by using the first oxide layer can solve the problem that the existing technology can not achieve metal deposition in the deep area.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在现今的半导体器件领域，数以千万的半导体元件可形成在单一晶片中。每一晶片上的各元件之间必须彼此电性绝缘，以不影响其它的元件。沟槽隔离是一较佳的电性隔离技术，广泛的应用于不同区域的隔离，如存储器件中的边缘区域与细胞区域的隔离以及图像传感器中不同光电二极管之间的隔离，以避免不同区域之间产生信号串扰(如光信号串扰和/或光生电荷串扰和/或光谱串扰等)现象，影响半导体器件的性能。但是，现有半导体器件中仍然存在不同区域的信号串扰现象，且随着半导体器件中各组成元件的尺寸越来越小，不同区域的信号串扰现象越发严重。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体器件，以缓解半导体器件中不同区域之间的信号串扰现象。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种半导体器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；位于所述第二区域的沟槽；位于所述沟槽内的隔离结构，所述隔离结构包括：位于所述沟槽表面的绝缘层以及位于所述绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构，所述半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；位于所述第二区域的沟槽；位于所述沟槽内的隔离结构，所述隔离结构包括：位于所述沟槽表面的绝缘层以及位于所述绝缘层背离所述沟槽一侧的信号阻挡层，所述信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；其中，所述第一方向平行于所述沟槽的深度延伸方向。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构，所述半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；位于所述第二区域的沟槽；位于所述沟槽内的隔离结构，所述隔离结构包括：位于所述沟槽表面的绝缘层以及位于所述绝缘层背离所述沟槽一侧的信号阻挡层，所述信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；其中，所述第一方向平行于所述沟槽的深度延伸方向。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述信号阻挡层沿第二方向的厚度取值范围为1000埃-5000埃，包括端点值，其中，所述第二方向垂直于所述沟槽的侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度大于1μm。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层沿所述第一方向的长度大于零且不大于0.6μm。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的材料为钨。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的电位小于零。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述沟槽表面的第二氧化物层以及位于所述第二氧化物层背离所述沟槽一侧的高k介质层。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化物层的形成工艺为原子层沉积工艺或高深宽比沉积工艺或炉管沉积工艺。9.一种半导体器件的形成方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆钰平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42