固态图像传感器、其制造方法以及电子装置制造方法及图纸

一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。

Solid-state image sensor, its manufacturing method and electronic device

A solid-state image sensor includes: a semiconductor substrate, in which each of a plurality of pixels arranged for a plane is provided with a photoelectric conversion area for converting light into charge; an organic photoelectric conversion film, which is laminated by an insulating film on the light irradiation side of the semiconductor substrate and formed in an area in which the pixels are formed; and a lower electrode, which is formed in the half of the organic photoelectric conversion film. The conductor substrate side is in contact with the organic photoelectric conversion film; the first upper electrode is overlapped on the illumination side of the organic photoelectric conversion film and formed into a solid-state image sensor so that the end of the first upper electrode is basically identical with the end of the organic photoelectric conversion film when viewed in a plane; and the film stress suppressor is used to suppress the stress of the film on the organic photoelectric conversion film. The stress of the film is generated on the first upper electrode.

【技术实现步骤摘要】
固态图像传感器、其制造方法以及电子装置本申请是申请日为2014年9月5日、申请号为201410452359.2、专利技术名称为“固态图像传感器、其制造方法以及电子装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开涉及固态图像传感器、其制造方法以及电子装置。更特别地，本公开涉及抑制有机光电转换膜的白色瑕点特性波动和暗电流的固态图像传感器、其制造方法以及电子装置。
技术介绍
在具有图像捕获功能的相关技术的电子装置(例如数字相机和数字摄像机)中，采用固态图像传感器，例如CCD(电荷耦合装置)和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。固态图像传感器具有像素，其中设置用于光电转换的PDs(光敏二极管)和多个晶体管。通过固态图像传感器，根据从平面地布置的多个像素输出的像素信号构建图像。
技术实现思路
近年来，随着固态图像传感器像素尺寸变小，单元像素上入射的光子数(光量)增加。像素的灵敏度可减小，这可导致减小S/N(信号/噪声)比。通常，广泛地采用固态图像传感器，其所用的像素布置中平面地布置红、绿和蓝像素，例如采用初级彩色滤光片的Bayer布置。在这样的固态图像传感器中，绿色和蓝色不透过红色像素，该红色本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成像装置，包括：半导体基板，包括多个光电二极管；绝缘层，设置在半导体基板上；多个下电极，设置在绝缘层中；连续形成的有机光电转换膜，设置在绝缘层上；上电极，设置在有机光电转换膜上；以及应力抑制膜，设置在上电极上，其中，应力抑制膜形成在比形成有第一上电极的区域更大的区域上，并覆盖上电极的端部和有机光电转换膜的端部。

【技术特征摘要】
2013.09.12 JP 2013-1897231.一种成像装置，包括：半导体基板，包括多个光电二极管；绝缘层，设置在半导体基板上；多个下电极，设置在绝缘层中；连续形成的有机光电转换膜，设置在绝缘层上；上电极，设置在有机光电转换膜上；以及应力抑制膜，设置在上电极上，其中，应力抑制膜形成在比形成有第一上电极的区域更大的区域上，并覆盖上电极的端部和有机光电转换膜的端部。2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，多个下电极中的每个下电极对应于多个像素中的像素。3.根据权利要求1所述的成像装置，其中，上电极和应力抑制膜由相同材料形成。4.根据权利要求1所述的成像装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：定荣正大，泷本香织，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP