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本发明实施例公开了一种半导体器件及形成方法，该半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻第一区域之间的第二区域；位于第二区域的沟槽；位于沟槽内的隔离结构，隔离结构包括：位于沟槽表面的绝缘层以及位于绝缘层背离...
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